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面向柔性顯示與傳感的有機薄膜晶體管器件與陣列集成Organic Thin Film Transistor Device and Array Integration for Flexible Display and Sensing郭小軍上海交通大學教授GUO XiaojunProfessor of Shanghai Jiaotong University

氧化鎵異質結功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

零回滯氧化鎵光電晶體管 從光電導效應到光柵效應譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國科學技術大學

基于金屬有機化學氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質外延及其在場效應晶體管中的應用王鋼*，陳偉驅，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學

基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學

《大面積單晶金剛石及場效應晶體管研究》作者：王艷豐，王瑋，常曉慧，張曉凡，朱天飛，劉璋成，陳根強，王宏興單位：西安交通大學教育部物理電子器件重點實驗室，西安交通大學電子與信息學部寬禁帶半導體與量子器件研究所

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院

《用于Micro LED驅動的ZnO短溝道薄膜晶體管》作者：李思哲，陳雪，吳昊，劉昌單位：武漢大學物理科學與技術學院人工微結構教育部

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現有的基于有機光發射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

美國電力副執行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；

西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加。現有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了

加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數據，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學院半導體研究所固態照明研發中心張連分享“選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區域再生長基底層和發射極層。通過使用選擇

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通...