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西安電子科技大學郝躍
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西安電子科技大學郝躍
中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛生安全的主題報告。幾大精彩主題報告，從技
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guansheng2022-09-10 15:38
中科院合肥物質科學研
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中科院合肥物質科學研
一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學院合肥物質科學研究院中國科學技術大學湖北科技學院
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guansheng2022-09-01 16:11
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院寧波材料所郭煒
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中科院寧波材料所郭煒
基于極化調控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術與工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科潞安總經理閆建昌
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中科潞安總經理閆建昌
提升深紫外LED的效率：從材料到器件Improve the Efficiency of Deep Ultraviolet LEDs: from Materials to Devices閆建昌--山西中科潞安紫外光電科技有限公司總經理、中科院半導體研究所研究員YANJianchang--General Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics, Professor of Institute of Semiconductors, CAS
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limit2022-02-01 15:30
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
陸文強：一維ZnGa2O4
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陸文強：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網薄膜材料橫向制備及其光電響應研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強單位：中國科學院重慶綠色智能技術研究院
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limit2022-01-07 15:02
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學，中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探測
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朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術學院，東華理工大學
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limit2022-01-07 14:20
李忠輝：新型Al(Ga)N/
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李忠輝：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN異質結外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點實驗室
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limit2022-01-07 11:15
蔡端?。簹湓貙ι钭?/p>
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蔡端俊：氫元素對深紫
《氫元素對深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學物理科學與技術學院
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limit2022-01-06 11:45
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
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limit2022-01-06 11:41
張紀才：半極性AlN材
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張紀才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學數理學院，廣西大學物理科學與工程技術學院
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limit2022-01-06 11:04
王新強：二維材料上氮
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王新強：二維材料上氮
《二維材料上氮化物半導體準范德華外延界面調控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠，盛博文，榮新，陳兆營，劉開輝，李新征，沈波，王新強單位：北京大學
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limit2022-01-06 10:48
王希瑋：金剛石材料制
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王?，|：金剛石材料制
《金剛石材料制備加工和應用研究》作者：王希瑋，彭燕，徐明升，胡小波，徐現剛單位：山東大學新一代半導體材料研究院
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limit2022-01-06 10:23
王蓉：半導體碳化硅材
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王蓉：半導體碳化硅材
《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院
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limit2022-01-06 10:21
李萬俊：超寬帶隙氧化
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李萬?。撼瑢拵堆趸?/a>
《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測器研究》作者：李萬俊，劉浩文，周樹仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學物理與電子工程學院，光電功能材料重慶市重點實驗室
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limit2022-01-06 10:08
歐欣：異質集成氧化鎵
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歐欣：異質集成氧化鎵
《異質集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學院上海微系統與信息技術研究所，西安電子科技大學
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limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
2890
方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院，復旦大學光電研究院，工程與應用技術研究院
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limit2022-01-05 17:41
馬騁：硅基氮化鎵外延
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馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
24400
limit2022-01-05 16:53

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