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《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院

《GaN材料碳雜質行為與激光器研究進展》作者：趙德剛單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學

《寬禁帶半導體材料中載流子調控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學材料學院

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院

特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優化氮化物MOCVD并設計升級反應器。

常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結合具體的研究實踐，她

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

江蘇南大光電材料股份有限公司陳化冰副總裁受邀出席第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇期間，接受極智頭

上海大學教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質量氮化鋁模板材料表征分析。報告中介紹了使用Ult

報告嘉賓：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報告：《銻化物半導體材料及器件》

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現室溫下高電離率的體摻

作為基礎材料，熒光粉的技術水平與半導體照明發展密切相關，有研稀土新材料股份有限公司副總經理、教授級高級工程師劉榮輝分享了大功率照明用熒光材料研發進展。 當前，LED照明光源呈現出朝著大電流密度、高光效方向發展，第三代半導體照明向著高能、短波特性方向發展等趨勢，現有大功率照明存在著結溫高、散熱量大，結溫高降低產品使用壽命，溫度高熒光粉量子效率降低，溫度高硅膠熱應力增大、折射率降低等問題，可以通過熒光粉料

同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

河北工業大學教授徐庶：低毒性量子點復合材料LED器件應用

英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告

河北工業大學教授徐庶帶來則介紹了量子點用于固態照明的量子點硅脂納米復合材料。更多精彩報告，請關注下載極智頭條APP！

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對公司生產的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現狀和發展趨勢”報告，報告指出康美特目前所具備的競爭優勢：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質量控制方面的優勢。更多精彩報告，請關注下載極智頭條APP！

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹，分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。

蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整