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《寬禁帶III族氮化物中點缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學(xué)精密機械

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設(shè)計及外延生長的挑

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進行，確

中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領(lǐng)域的研究動態(tài)以及研究成果。

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析。報告中介紹了使用Ult

報告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。

西安交通大學(xué)副教授李強做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開關(guān)行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告