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《GaN材料碳雜質行為與激光器研究進展》作者：趙德剛單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字

田朋飛教授在報告中提出，并實驗實現了紅，綠和藍激光二極管(RGB-LD)混合的白光系統，來同時用于基于波分復用(WDM)的高速水下無

日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發展現狀的報告。

沙特國王科技大學教授李曉航分享了《半導體深紫外激光LED和設計軟件》研究報告。

鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導層連續分級生長的深紫外納米線激光二極管光學約束優化的研究成果。研

報告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經理李曜 報告主題：《針對未來GaAs/InP基激光器的外延大規模生產》

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE

復旦大學副教授田朋飛介紹了“2.70 Gbps數據速率NRZ-OOK調制的34.5米水下無線綠色激光通信”技術。 水下無線通信因其在戰術監視、海洋學研究、近海石油勘探、海床勘測和監控中發揮的重要作用，在軍事、工業和科學界引起了極大興趣，人們對可靠且具有高數據速率的水下無線通信系統的需求日益增長。水下無線通信(UOWC)因其高帶寬，低延遲，低功耗和高成本效益等優勢成為替代傳統的聲學通信和射頻通信的一種極具吸引力的無線通信方式。然而，水下通信在光學上非常具有挑戰性。光在水中的傳播因水的吸收和懸浮顆粒散射而衰