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超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業大學（深圳）教授，理學院副院長SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen

教育用封裝光源顏色參數漂移及熱特性分析研究Analysis and research on color parameter drift and thermal properties of packaged light source applied in education王書昶常熟理工學院副教授WANG ShuchangAssociate Professor of Changshu Institute of Technology

高效率深紫外 Micro-LED尺寸依賴特性研究High-efficiency and size-dependent efficiency characteristics of UVC micro-LEDs崔旭高復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授CUI XugaoAssociate Professor of Fudan University

利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質材料研究所獨立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

基于極化調控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術與工程研究所

《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應用優劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強強，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司

《寬禁帶半導體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學

《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術學院，廈門大學化學與化學學院

廈門大學電子科學系教授、福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術的發光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術結合高光譜和顯微技術，獲得探測目標的二維幾何空間及一維光譜信息的數據立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優點。是進行微小發光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發了發光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術。

常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結合具體的研究實踐，她

廣東省仲愷農業工程學院機電工程學院李蕊分享了《不同比例紅藍光質對金線蓮形態及光合特性的影響》研究報告。介紹了不同光質對金線蓮生長及光合作用的影響。在溫度、濕度、CO2濃度和光合光量子通量密度都一致的條件下，以白光（LED）為對照，分析了9種紅藍不同配比的LED組合光源對金線蓮定植苗生長的形態指標、葉綠素以及光合速率、氣孔導度及蒸騰速率的影響。 　　結果表明：藍紅1:1處理比其他光質處理更有利于金線蓮鮮重的積累，

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調整我們可以調整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態照明及LED 領域的11-本英文專著，