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中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業學術報告任性看！

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現在提的比較多的農業、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復雜動態光伏窗遮陽控制的建筑物的采光模擬與分析報告。他表示，光伏（PV）遮陽系統將光伏材料與窗戶處理（百葉窗，百葉窗等）結合在一起，用于建筑環境中的能量平衡。光伏遮陽系統在發電，照明控制，眩光保護等方面對建筑物有利。為了從窗戶區域收獲最大的太陽能，在PV遮陽元件中應用太陽能跟蹤，從而可以實時移動和動態采光，但是很難通過常規方法模擬這一操作。