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河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數據，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

北京大學東莞光電研究院生物光環境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農業生產中的應用主題報告。

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業，要實現一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

中國農業科學院北京畜牧獸醫研究所孫研研介紹了LED光譜對蛋雞生長發育和繁殖性能的影響主題報告。

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

中微半導體設備(上海)有限公司主任研究員胡建正分享了介紹了基于高產率MOCVD平臺 - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設計、性能及可靠性分析。主要參與進行了中微第一代及第二代MOCVD的設計、工藝開發及...請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！

復旦大學林燕丹教授分享了主題為“教室內間接照明對學生學習表現和情緒的影響研究”報告。她表示，健康照明是一個非常體系化的研究，不是靠一家單位做其中的一個研究它就可以得到一個結論和標準，更多的是它需要通過全方位的聯合，逐個的解決其中很多的問題，最終才........請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！

中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復雜動態光伏窗遮陽控制的建筑物的采光模擬與分析報告。他表示，光伏（PV）遮陽系統將光伏材料與窗戶處理（百葉窗，百葉窗等）結合在一起，用于建筑環境中的能量平衡。光伏遮陽系統在發電，照明控制，眩光保護等方面對建筑物有利。為了從窗戶區域收獲最大的太陽能，在PV遮陽元件中應用太陽能跟蹤，從而可以實時移動和動態采光，但是很難通過常規方法模擬這一操作。