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碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)

《氧化鎵晶體的生長(zhǎng)、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心

《寬禁帶III族氮化物中點(diǎn)缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械

《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。

報(bào)告簡(jiǎn)介：基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences