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《GaN基肖特基功率器件研究新進展》作者：陳鵬單位：南京大學電子科學與工程學院

《肖特基p型柵結構GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學電子與信息工程學院，工業和信息化部電子第五研究所

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監測以及國防預警等諸多領域具有非常廣闊的應用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有

報告簡介：基于深層瞬態光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。