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美國 PowerAmerica 執(zhí)
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美國 PowerAmerica 執(zhí)
加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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IFWS2025-01-09 15:39
易美新創(chuàng)CTO、執(zhí)行副
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易美新創(chuàng)CTO、執(zhí)行副
CSP芯片級封裝在Mini-LED背光中的應用進展The Progress of Chip Scale Package in Mini-LED TV Backlighting劉國旭北京易美新創(chuàng)科技有限公司CTO、執(zhí)行副總裁Jay Guoxu LIUCTOExecutive VP of ShineOn Innovation Technology Co., Ltd
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SSLCHINA2025-01-09 15:16
秋水半導體董事長蔣振
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秋水半導體董事長蔣振
基于混合鍵合的無損Micro-LED芯片技術Damage-free Micro-LED Based on Hybrid Bonding Technology 蔣振宇蘇州秋水半導體科技有限公司董事長JIANG ZhenyuPresidentof Suzhou QiuShui Semiconductor Technology Inc.
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SSLCHINA2025-01-09 15:13
廈門大學物理科學與技
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廈門大學物理科學與技
顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展New Progress of Micro-LED Chip and Integration Technology for Display黃凱廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授HUANG KaiDeputy DeanProfessor of College of Physical Science and Technology, Xiamen University
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SSLCHINA2025-01-09 15:12
長城汽車投資總監(jiān)耿偉
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長城汽車投資總監(jiān)耿偉
國產(chǎn)化芯片機會和長城汽車布局耿偉長城汽車投資總監(jiān)
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IFWS2025-01-09 14:11
中國電科十三所正高級
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中國電科十三所正高級
47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鵬搏中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 15:19
星宇研究院功率器件工
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星宇研究院功率器件工
車載微芯片（MCU）應用失效案例分析研究李玉清星宇研究院功率器件工程師LI YuqingXINGYU Co.,Ltd
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guansheng2023-05-22 14:41
中科芯集成電路有限公
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中科芯集成電路有限公
國產(chǎn)汽車芯片協(xié)力推動汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展傅建軍中科芯集成電路有限公司MCU事業(yè)部副總經(jīng)理FU JianjunChina KEY SYSTEMIntegrated Circuit Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 14:40
國家新能源汽車技術創(chuàng)
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國家新能源汽車技術創(chuàng)
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅系統(tǒng)High power density electric drive system based on SiC power chip劉朝輝國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心總師LIU ChaohuiChief Engineer of National New Energy Automobile Technology Innovation Center
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guansheng2023-05-22 14:24
東南大學下一代半導體
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東南大學下一代半導體
全色顯示材料與3D芯片集成技術Integrated technology of panchromatic display materials and 3D chips范謙東南大學下一代半導體材料研究所研究員
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guansheng2023-05-22 14:10
長光華芯首席技術官王
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長光華芯首席技術官王
激光雷達用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片High power GaAs VCSEL laser chip for lidar王俊蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官WANG JunVice Chairman and CTO for Suzhou Everbright Co.,ltd
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guansheng2023-05-22 10:00
德國MSG Lithoglas Gm
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德國MSG Lithoglas Gm
集成反射器的封裝技術用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡曉東德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區(qū)總監(jiān)HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany
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guansheng2023-05-19 12:52
鐳昱光電創(chuàng)始人兼CEO
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鐳昱光電創(chuàng)始人兼CEO
重構單片集成技術，實現(xiàn)全彩Micro-LED微顯示芯片Redefinition of monolithic integration for Full-Color Micro-LED Micro-displays莊永漳鐳昱光電科技（蘇州）有限公司創(chuàng)始人兼CEOEddie CHONGFounder and CEO of Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited
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guansheng2023-05-19 11:58
芯元基半導體總經(jīng)理郝
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芯元基半導體總經(jīng)理郝
用于Micro LED芯片規(guī)模量產(chǎn)化的化學剝離生長襯底技術Chemical Peel Growth Substrate Technology for Mass Production of Micro LED Chips郝茂盛上海芯元基半導體科技有限公司總經(jīng)理HAO MaoshengGeneral Manager of Shanghai Chipfoundation Semiconductor Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 11:48
中國科學院半導體研究
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中國科學院半導體研究
用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學院半導體研究所
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guansheng2022-09-01 11:35
美國俄亥俄州立大學教
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美國俄亥俄州立大學教
碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
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limit2022-05-01 09:55
林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍綠激光器芯片設計、生長和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
馬曉華：面向終端應用
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馬曉華：面向終端應用
《面向終端應用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學
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limit2022-01-05 16:45
龔政：氮化鎵基Micro-
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龔政：氮化鎵基Micro-
《氮化鎵基Micro-LED巨量轉移及紅光芯片進展》作者：龔政單位：廣東省科學院半導體研究所
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limit2022-01-05 13:22
【視頻報告 2018】俄
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【視頻報告 2018】俄
俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復合引起的效率下降和表面復合成為限制器件性能的主要因素。特別是當器件尺寸減小時，表面復合導致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的
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limit2021-04-29 12:29

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