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用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

藍寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強北京大學教授、北大東莞光電研究院院長WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍寶石襯底上優化生長高質量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

乾照光電目前是國內比較領先的紅光制造商，來自乾照光電股份有限公司技術副總監陳凱軒分享了“藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報告。他首先介紹了藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會議室或者是戶外主流使用的顯示技術是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術LED是主動式的發光，相對于另外兩種被動式的發光，它的對比度，還有它顯示效果要更加的優異，現在基本上在戶內、戶外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個很重要的區別，DLP、LCD的拼接模塊

北京大學教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍寶石襯底通過MOCVD生長藍綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過低壓金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）生長得到。首先在成核層上進行兩步法高溫生長GaN模板，接著在模板上生長青光LED，波長為490nm。通......請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！