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高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。

【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰》。

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術與應用

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

視頻簡介：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰

乾照光電目前是國內比較領先的紅光制造商，來自乾照光電股份有限公司技術副總監陳凱軒分享了“藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報告。他首先介紹了藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會議室或者是戶外主流使用的顯示技術是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術LED是主動式的發光，相對于另外兩種被動式的發光，它的對比度，還有它顯示效果要更加的優異，現在基本上在戶內、戶外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個很重要的區別，DLP、LCD的拼接模塊

北京大學教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍寶石襯底通過MOCVD生長藍綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過低壓金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）生長得到。首先在成核層上進行兩步法高溫生長GaN模板，接著在模板上生長青光LED，波長為490nm。通......請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！