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GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

【極智報告】西安交通大學(xué)張盛楠：Preparation of carbon dots by microwave synthesis for white LED devices

西安交通大學(xué)副教授李強做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開關(guān)行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

西安交通大學(xué)教授王宏興做了關(guān)于微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報告。