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基于界面調(diào)控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學(xué)

全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學(xué)院微電子研究所

從應(yīng)用端看GaN功率電子器件面臨的關(guān)鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學(xué)

《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時(shí)控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動(dòng)芯片》研究報(bào)告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”研究報(bào)告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...