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張昊宸：具有超高光響
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張昊宸：具有超高光響
《具有超高光響應（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學微電子學院
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limit2022-01-07 13:29
吳千樹：肖特基p型柵
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吳千樹：肖特基p型柵
《肖特基p型柵結構GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學電子與信息工程學院，工業和信息化部電子第五研究所
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limit2022-01-07 11:51
徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 11:50
陳敦軍：高增益AlGaN
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陳敦軍：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基異質結紫外光電探測器及其能帶的調控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 08:59
詹騰：金屬氧化物/AlG
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詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質結深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊曉燕，李晉閩單位：中國科學半導體研究所、清華大學
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limit2022-01-07 08:57
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
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limit2022-01-06 11:41
梅洋：GaN基VCSEL技術
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梅洋：GaN基VCSEL技術
《GaN基VCSEL技術進展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學微電子與集成電路系微納光電子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
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孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學
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limit2022-01-06 10:30
梁鋒：GaN基大功率藍
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梁鋒：GaN基大功率藍
《GaN基大功率藍光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-05 16:06
孫錢：硅襯底GaN基激
3840
孫錢：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
許福軍：AlGaN基深紫
3460
許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院
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limit2022-01-05 09:53
【視頻報告 2018】復
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【視頻報告 2018】復
復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態照明和高速可見光通信的高帶寬發光芯片。通過結合以上功能，可以實現用于大數據和物聯網的智能霯ED系統。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。
91700
limit2021-04-29 12:27
【視頻報告 2018】北
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【視頻報告 2018】北
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。
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limit2021-04-29 12:05
極智報告|華中科技大
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極智報告|華中科技大
極智報告|華中科技大學張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法
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limit2025-05-02 09:50

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