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大連理工大學張赫之：
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大連理工大學張赫之：
兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所
78000
guansheng2022-09-01 16:19
山東大學賈志泰：大尺
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山東大學賈志泰：大尺
大尺寸高質量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學
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guansheng2022-09-01 16:18
湖北大學何云斌：Ga2O
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湖北大學何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金設計及其日盲紫外光電探測器研究王其樂，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學
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guansheng2022-09-01 16:16
中山大學王鋼：基于金
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中山大學王鋼：基于金
基于金屬有機化學氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質外延及其在場效應晶體管中的應用王鋼*，陳偉驅，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學
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guansheng2022-09-01 16:13
中科院合肥物質科學研
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中科院合肥物質科學研
一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學院合肥物質科學研究院中國科學技術大學湖北科技學院
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guansheng2022-09-01 16:11
南京大學鞏賀賀：氧化
7550
南京大學鞏賀賀：氧化
氧化鎵肖特基二極管熱管理研究鞏賀賀，周峰，葉建東*，陸海，顧書林，張榮，鄭有炓南京大學
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guansheng2022-09-01 16:10
廈門大學龍浩：氧空位
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廈門大學龍浩：氧空位
氧空位在異質外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應磊瑩，張保平*，龍浩*廈門大學
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guansheng2022-09-01 16:08
浙江大學楊樹：基于界
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浙江大學楊樹：基于界
基于界面調控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學
67200
guansheng2022-09-01 14:37
北京大學劉軒：基于結
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北京大學劉軒：基于結
基于結終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結構pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學林，沈波北京大學
55900
guansheng2022-09-01 13:46
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院微電子所黃森：
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中科院微電子所黃森：
全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
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guansheng2022-09-01 13:43
中科院蘇州納米所孫錢
5550
中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大學周峰：從應
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南京大學周峰：從應
從應用端看GaN功率電子器件面臨的關鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學
58400
guansheng2022-09-01 13:29
中科院蘇州納米所郭小
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中科院蘇州納米所郭小
1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
67600
guansheng2022-09-01 12:50
中國科學院微電子所金
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中國科學院微電子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
56900
guansheng2022-09-01 12:49
南京大學陳鵬：GaN基
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南京大學陳鵬：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新進展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學
54400
guansheng2022-09-01 12:38
中科院寧波材料所郭煒
8540
中科院寧波材料所郭煒
基于極化調控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術與工程研究所
85400
guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛
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中科院北京納米所胡衛
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛國*中國科學院北京納米能源與系統研究所
64400
guansheng2022-09-01 12:22
西安電子科技大學張進
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西安電子科技大學張進
勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學
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guansheng2022-09-01 12:20
深圳大學范澤龍:基于
5560
深圳大學范澤龍:基于
基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學
55600
guansheng2022-09-01 12:17

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