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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯爾大學(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

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星宇研究院功率器件工程師李玉清：車載微芯片（MCU）應(yīng)用失效案例分析研究
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星宇研究院功率器件工程師李玉清：車載微芯片（MCU）應(yīng)用失效案例分析研究
車載微芯片（MCU）應(yīng)用失效案例分析研究李玉清星宇研究院功率器件工程師LI YuqingXINGYU Co.,Ltd
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guansheng2023-05-22 14:41
中科芯集成電路有限公司MCU事業(yè)部副總經(jīng)理傅建軍：國產(chǎn)汽車芯片協(xié)力推動汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展
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中科芯集成電路有限公司MCU事業(yè)部副總經(jīng)理傅建軍：國產(chǎn)汽車芯片協(xié)力推動汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展
國產(chǎn)汽車芯片協(xié)力推動汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展傅建軍中科芯集成電路有限公司MCU事業(yè)部副總經(jīng)理FU JianjunChina KEY SYSTEMIntegrated Circuit Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 14:40
英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師孟無忌：氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實踐
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英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師孟無忌：氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實踐
氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實踐Research of InnoGaN in New-energy Intelligent?Vehicle Applications孟無忌英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師Eric MENGChief Engineer of Product Application for Innoscience
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guansheng2023-05-22 14:38
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品線負責(zé)人田亮：SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術(shù)進展及應(yīng)用
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南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品線負責(zé)人田亮：SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術(shù)進展及應(yīng)用
SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術(shù)進展及應(yīng)用田亮南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅產(chǎn)品線負責(zé)人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd
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guansheng2023-05-22 14:37
先進連接總經(jīng)理吳昊：功率半導(dǎo)體國產(chǎn)銀燒結(jié)整體解決方案
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先進連接總經(jīng)理吳昊：功率半導(dǎo)體國產(chǎn)銀燒結(jié)整體解決方案
功率半導(dǎo)體國產(chǎn)銀燒結(jié)整體解決方案Power semiconductor domestic silver sintering overall solution吳昊深圳市先進連接科技有限公司總經(jīng)理WU Hao General Manager of Shenzhen Advancde Joining Technology Co.,Ltd.
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guansheng2023-05-22 14:34
甬江實驗室研究員王文博：異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究
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甬江實驗室研究員王文博：異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究
異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)
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guansheng2023-05-22 14:29
瞻芯電子市場經(jīng)理林其鋒：基于SiC的車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
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瞻芯電子市場經(jīng)理林其鋒：基于SiC的車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
基于SiC的車載功率轉(zhuǎn)換解決方案SiC-based automotive power conversion solutions林其鋒上海瞻芯電子科技有限公司市場經(jīng)理
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guansheng2023-05-22 14:28
一徑科技副總裁邵嘉平：車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產(chǎn)落地之最新進展
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一徑科技副總裁邵嘉平：車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產(chǎn)落地之最新進展
車載 MEMS 激光雷達解決方案及量產(chǎn)落地之最新進展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一徑科技有限公司副總裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 14:26
國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師劉朝輝：基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng)
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國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師劉朝輝：基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng)
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng)High power density electric drive system based on SiC power chip劉朝輝國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心總師LIU ChaohuiChief Engineer of National New Energy Automobile Technology Innovation Center
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guansheng2023-05-22 14:24
中電科55所劉奧：SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究
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中電科55所劉奧：SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究
SiC MOSFET熱阻精確測量技術(shù)研究Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET劉奧中國電子科技集團公司第五十五研究所LIU AONanjing Electronics Research Institute
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guansheng2023-05-22 13:56
武漢大學(xué)研究員張召富：4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理
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武漢大學(xué)研究員張召富：4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理
4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-22 13:56
賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖：Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案
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賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖：Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案
Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module張靖賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics
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guansheng2023-05-22 13:55
芯干線市場總監(jiān)孔令濤：GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢
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芯干線市場總監(jiān)孔令濤：GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET https://fanyi.baidu.com/?aldtype=85孔令濤--南京芯干線科技有限公司市場總監(jiān)
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guansheng2023-05-22 13:54
西安電子科技大學(xué)副教授孫樂嘉：SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究
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西安電子科技大學(xué)副教授孫樂嘉：SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究
SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂嘉西安電子科技大學(xué)副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University
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guansheng2023-05-22 13:53
博睿光電副總經(jīng)理梁超：面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板
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博睿光電副總經(jīng)理梁超：面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板
面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 13:51
東南大學(xué)教授劉斯揚：電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法
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東南大學(xué)教授劉斯揚：電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法
電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學(xué)教授LIU SiyangProfessor of Southeast University
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guansheng2023-05-22 13:50
復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光寅：比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET
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復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光寅：比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2雷光寅復(fù)旦大學(xué)副研究員LEI GuangyinAssociate Professor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 13:50
北方華創(chuàng)第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實：等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
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北方華創(chuàng)第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實：等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field謝秋實北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理XIE QiushiDeputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
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guansheng2023-05-22 13:49
浙江大學(xué)特聘研究員任娜：1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究
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浙江大學(xué)特聘研究員任娜：1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究
1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學(xué)特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University
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guansheng2023-05-22 13:48
中電48所鞏小亮： SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢
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中電48所鞏小亮： SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢
SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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guansheng2023-05-22 13:47

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