12月17日，南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證。

 

認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶50nm閃存產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。”

 

“ArF光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關項目，總投資6億元，項目完全達產后，預計實現約10億元的年銷售額，年利稅預計約2億元。本次產品的認證通過，標志著“ArF光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產ArF光刻膠。

 

光刻膠是半導體光刻工藝的核心材料，決定了半導體圖形工藝的精密程度和良率，其質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻膠作為半導體芯片制造過程中的核心材料之一，經過紫外光、電子束等照射，光刻膠得到曝光，化學性質發生改變，經過顯影液的洗滌，圖案會留在襯底上。光刻膠分為KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)幾種，括號中的數值為曝光光源的波長。

 

與此相對的，作為高精尖的半導體制造核心材料，由于技術壁壘和客戶壁壘高，全球半導體光刻膠市場集中度高，市場被美日公司長期壟斷。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業占據了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

 

按不同制程，半導體用光刻膠可分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠及G線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產品，產業信息網數據顯示，截至2019年國內在g線/i線光刻膠僅達到20%自給率，而KrF光刻膠自給率不足 5%，ArF光刻膠則完全依賴進口。研發進度上，EUV光刻膠為目前市場上最高端的光刻膠，目前國內還未開始涉及，但在ArF光刻膠、KrF光刻膠領域，除了南大光電外，國內已有眾多企業相繼開啟研發。

 

南大光電主要從事高純電子材料研發、生產和銷售，通過承擔國家重大技術攻關項目并實現產業化。目前，公司形成MO源、電子特氣、光刻膠及配套材料以及ALD/CVD前驅體材料等業務板塊。本次通過客戶認證的產業化意義大。本次驗證使用的50nm閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。

 

南大光電表示，目前與客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中。同時，ArF光刻膠的復雜性決定了其在穩定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險，其在應用工藝的改進、完善等方面的表現，都會決定ArF光刻膠的量產規模和經濟效益。