寬禁帶半導體已成為全球高技術競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強各界交流與協同創新，八年前，首屆全國寬禁帶半導體學術會議召開。

今年，每兩年一屆的全國寬禁帶半導體學術會議（WBSC）迎來了第四屆，將于2021年10月12-15日（延期至11月7-10日）在美麗的鷺島廈門舉辦。由廈門大學校長張榮教授與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟吳玲理事長共同擔任大會主席。同時，邀請了強大的顧問委員會、程序委員會、組織委員會專家團。

 

據了解，本屆大會以“芯動力·新征程--寬禁帶半導體的機遇與挑戰”為主題，屆時，強大的專家團隊將與來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表們一道，圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。

 

據組委會透露，大會顧問委員會專家、中科院院士江風益已經確認將出席會議，并帶來題為“Si基GaN半導體發光”的大會報告。

 

江風益是中國科學院院士，南昌大學黨委委員、副校長、教授，國家硅基LED工程技術研究中心主任。半導體照明技術創新團隊帶頭人（科技部、教育部），獲中組部、中宣部、人事部和科技部聯合授予"杰出專業技術人才"稱號。他在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統性、創造性成就，帶領團隊在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實現了產業化，獲國家技術發明獎一等獎和全球半導體照明年度新聞獎。也是世界紅光和黃光出光效率的保持者。

 

寬禁帶半導體材料GaN作為第三代半導體材料具有傳統半導體材料所不具備的優異性能，硅基氮化鎵功率器件具有擊穿電壓高，工作溫度高和工作頻率高等優異性能，是電力電子領域極為理想的半導體器件，現已成為國際半導體領域的研究熱點之一。本屆大會上，一直堅持走在科研前線的江風益院士將與業界分享關于Si基GaN半導體發光的最新研究成果，敬請期待！

目前大會征文及報名工作正有序進行中，論文摘要提交將于8月10日截止，報名繳費優惠將于9月10日截止。歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流！