氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼SiC和GaN之后的新一代超寬禁帶半導體材料，近年來得到了廣泛的關注。β-Ga2O3在材料方面優越的特性使其在電力電子器件等諸多領域有著重要的應用價值。但在功率器件應用中β-Ga2O3材料仍然存在著p型β-Ga2O3材料的研究沒有獲得有效的進展，且理論預測其p型摻雜難以實現，以及熱導率較低等問題需要解決。
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協辦。
會議設有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業鏈各環節。
屆時，西安理工大學副教授賀小敏將受邀出席會議，并帶來《氧化鎵異質外延生長及材料特性研究》的主題報告，將分享最新研究進展與成果，敬請關注！
嘉賓簡介
賀小敏，工學博士，在寬禁帶半導體材料與器件研究領域深耕多年，主要從事碳化硅（SiC）和氧化鎵（Ga?O?）的外延生長技術、異質結界面特性調控及其功率、高頻器件的研究工作。累計以第一作者在核心期刊發表論文15篇，其中SCI收錄11篇。主持/參與縱向科研項目9項，其中：國家級3項、省部級3項、廳局級及重點實驗室項目3項。主持/參與橫向課題9項，總經費223萬元，含主持百萬級項目1項。申請相關國家發明專利6項，獲授權國家發明專利4項，實現技術成果轉化26萬元。榮獲2018年度陜西省教育廳科技進步二等獎。
會議時間：5月22-24日（5月22日下午報到，23-24日會議日）
會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店（南京市浦口區象賢路158號）
組織機構
指導單位：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術
2.碳化硅功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
5.模組封裝與應用技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等
7.功率器件交叉領域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程
備注：上述日程或有微調，最終以現場為準。
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、香港大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、國聯萬眾、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業大學、深圳大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創芯、華中科技大學……等等
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名
備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章擇優推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區象賢路158號
郵箱：503766958@qq.com
酒店聯系人
陸經理 15050562332 025-58628888
南京站到會議酒店：
開車車程40分鐘
公共交通：
地鐵1號線-新街口-轉2地鐵2號線-元通站-轉10號線-雨山路站-打車起步價
南京南站到會議酒店：
開車車程25分鐘
公共交通：
S3號線-永初路-轉公交509路-濱江桂園北門-打車起步價
祿口機場到會議酒店：
開車車程1小時
公共交通：
機場-S1號線南京南站-永初路地鐵站-509路公交-濱江桂園北門
