5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協辦。
蘇州鎵和半導體有限公司作為協辦單位將亮相會議。屆時，鎵和半導體董事長、南京郵電大學唐為華教授將受邀出席論壇，并帶來《超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究進展》的大會報告。值此，誠摯邀請第三代半導體產業同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。
嘉賓簡介
唐為華，南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）教授、博士生導師，我國寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件領域的領軍人物之一。入選國家“新世紀百千萬人才工程”、中國科學院“百人計劃”，江蘇省“雙創人才”，江蘇省“雙創團隊”領軍人才，享受國務院政府特殊津貼，獲北京市科學技術獎一等獎和二等獎各一項，浙江省自然科學獎三等獎一項。長期從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料和器件研究，主持包括國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金重點項目、北京市科技計劃專項、江蘇省雙創團隊項目等國家級省部級重大重點課題二十余項。已在國內外重要學術雜志上發表SCI收錄論文300多篇，ESI高被引論文20多篇，論文被引用17000多次，H因子65，授權發明專利30多項。連續四年（2021/2022/2023/2024）獲評愛思維爾中國高被引學者（Most Cited Chinese Researchers），連續五年入選斯坦福發布的World Top 2% Scientists榜單。
南京郵電大學氧化鎵團隊（IC-GAO）是國內最早開展氧化鎵材料與器件研究的團隊之一，多年來聚焦超寬禁帶半導體氧化鎵的單晶材料生長、外延薄膜制備、信息功能器件和功率電子器件研制。團隊孵化了江蘇省第一家超寬禁帶半導體氧化鎵科創企業-蘇州鎵和半導體有限公司，形成了包括裝備制造、大英寸單晶制備和加工、高質量外延、高集成器件在內的核心技術。南郵氧化鎵團隊將立足高校突破基礎技術研究，借助企業平臺轉化創新成果，致力于第四代超寬禁帶半導體氧化鎵技術的引領。
公司簡介
蘇州鎵和半導體有限公司是一家專注于氧化鎵材料研發的高科技企業，始終將引領氧化鎵技術創新與應用奉為使命。是國內為數不多的，具備氧化鎵晶體生長、薄膜外延、相關器件及專用生產設備研發的全方位技術與能力的公司。公司創始人唐為華教授，在氧化鎵材料領域深耕十余年，率先在國內布局并實現氧化鎵產業化，并于2021年成立蘇州鎵和半導體有限公司。自成立以來，公司在氧化鎵晶體生長方面取得了一系列創新性成果，成功實現了晶體大尺寸、高質量、多種晶面類型的突破，為行業發展注入了強勁動力。未來，公司將以技術創新為核心驅動力，持續探索氧化鎵材料的更高潛能，推動科技與產業深度融合，致力于成為建設高效、綠色、智能化未來的關鍵力量。
時間地點
5月22日-24日
（5月22日下午報到，23-24日會議日）
南京熹禾涵田酒店（南京市浦口區象賢路158號）
組織機構
指導單位：
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學極智半導體產業網（www.ofran.cn）第三代半導體產業
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協辦支持：電子科技大學南京郵電大學南通研究院蘇州鎵和半導體有限公司揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒 聯合主席：柏松 張波 趙璐冰程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術
2.碳化硅功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
5.模組封裝與應用技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等
7.功率器件交叉領域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程
備注：上述日程或有更新僅供參考，最終以現場實際為準！
會議參與擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、香港大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、國聯萬眾、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業大學、深圳大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創芯、華中科技大學……等等
會議參與
活動注冊：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式：
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名：
備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，
需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com張
女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章擇優推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店：
南京熹禾涵田酒店
協議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區象賢路158號
聯系人：陸經理
電話：15050562332、025-58628888
郵箱：503766958@qq.com
