隨著人工智能技術(shù)革命性突破與數(shù)字經(jīng)濟(jì)的指數(shù)級(jí)增長，現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算芯片正面臨供電架構(gòu)的范式重構(gòu)。其中，高可靠、高效率、高功率密度三次電源模塊，是解決“最后一英寸”xPU供電難題的關(guān)鍵。這一技術(shù)需求已超越傳統(tǒng)硅基功率器件的物理極限：品質(zhì)因數(shù)（FoM）在高頻段（>5MHz）呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)劣化，限制了其在高頻大電流應(yīng)用場(chǎng)景中的性能表現(xiàn)，難以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和傳輸，無法滿足數(shù)據(jù)中心和高性能處理器對(duì)供電模塊日益增長的功率密度和效率要求。GaN作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有低柵極電荷、高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、低導(dǎo)通電阻等卓越性能，可顯著降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提高功率轉(zhuǎn)換效率。低壓GaN器件在高頻大電流應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出巨大潛力，有望成為突破硅基供電系統(tǒng)局限性的關(guān)鍵技術(shù)。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。  

屆時(shí)，電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院  教授/博導(dǎo)明鑫將受邀出席論壇，并帶來《面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)》的大會(huì)報(bào)告，報(bào)告將重點(diǎn)圍繞低壓GaN的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用展開討論，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

明鑫，教授/博導(dǎo)，國家級(jí)青年人才、電子科大校百人計(jì)劃、功率半導(dǎo)體頂會(huì)ISPSD技術(shù)委員會(huì)成員、四川省學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人后備人選、錢江特聘專家）。長期專注于高效、高功率密度電源管理IC及硅基GaN驅(qū)動(dòng)痛點(diǎn)問題，以提高轉(zhuǎn)換效率、降低EMI 噪聲干擾、實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載響應(yīng)為目標(biāo)。多款GaN驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)，用于快充電源和激光雷達(dá)等，產(chǎn)生重要經(jīng)濟(jì)價(jià)值。近5年在IEEE JSSC、TCAS I/TCAS II、TPE、TIE、ISPSD和CICC等電路旗艦期刊和頂尖會(huì)議上發(fā)表論文20余篇，6次國際會(huì)議分會(huì)場(chǎng)口頭報(bào)告；美國專利5項(xiàng)，中國發(fā)明專利40余項(xiàng)；參與編著“十三五”國家集成電路設(shè)計(jì)叢書《功率集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)》。2019年獲四川省科學(xué)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隸屬于集成電路科學(xué)與工程學(xué)院，支撐建設(shè)有“先進(jìn)功率和射頻器件與集成教育部工程研究中心”、“四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心”，是“電子薄膜與集成器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”和“電子科技大學(xué)集成電路研究中心”的重要組成部分，被國際同行譽(yù)為“全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)”和 “功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究最為全面的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)”。

 會(huì)議時(shí)間：5月22-24日

會(huì)議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

大會(huì)主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會(huì)：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任：姚佳飛

副主任：涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試

會(huì)議日程總覽

最新報(bào)告嘉賓

備注：以下為目前部分報(bào)告嘉賓和議題，不分先后！

張進(jìn)成--西安電子科技大學(xué)副校長、教授

孫偉鋒--東南大學(xué)集成電路學(xué)院院長

唐為華--南京郵電大學(xué)教授、鎵和半導(dǎo)體董事長

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

喬明--電子科技大學(xué)教授

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

TBD--英諾賽科科技有限公司

TBD--揚(yáng)杰科技

王慶宇--新微半導(dǎo)體總經(jīng)理 

氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

葉建東--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

魏進(jìn)--北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員

Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET

張宇昊 鞏賀賀--香港大學(xué)教授、博士后研究員

宋慶文--西安電子科技大學(xué)教授

面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新

王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員

高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

黃森--中國科學(xué)院微電子研究所研究員

新能源時(shí)代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)與趨勢(shì)

邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人

功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理

面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

李道會(huì)--北京昕感科技(集團(tuán))副總，功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

周 峰--南京大學(xué)副研究員

氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究 

宣融--南京百識(shí)電子科技有限公司總經(jīng)理

程新紅--中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)研究所研究員

寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

鄧小川--電子科技大學(xué)教授

劉盼--復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任

施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級(jí)工程師 

P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

彭燕--山東大學(xué)教授

High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation

張潔--西交利物浦大學(xué)芯片學(xué)院助理教授、本科專業(yè)負(fù)責(zé)人

1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs

劉超--山東大學(xué)集成電路學(xué)院/晶體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授

GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications

朱昱豪--青海大學(xué)能源與電氣工程學(xué)院講師

Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors

郭高甫--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

3 kV級(jí)超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質(zhì)p-n結(jié)二極管

章建國--中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所博士

......更多報(bào)告嘉賓持續(xù)確認(rèn)更新中

參會(huì)及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……

活動(dòng)參與：   

注冊(cè)費(fèi)2800元，5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報(bào)名

備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx    文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。 

會(huì)議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價(jià)格：標(biāo)間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)

郵箱：503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332  025-58628888