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CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

日期:2025-05-16 閱讀:313
核心提示:5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,ULVAC愛發(fā)科集團(tuán)將亮相此次會(huì)議。值此,誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

頭圖

 5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ofran.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

ULVAC愛發(fā)科集團(tuán)將亮相此次會(huì)議。屆時(shí),愛發(fā)科(蘇州)技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇,并分享《面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報(bào)告!值此,誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會(huì),蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

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嘉賓簡介 

王鶴鳴,現(xiàn)任世界知名真空設(shè)備企業(yè)ULVAC集團(tuán)在華全資研發(fā)子公司——愛發(fā)科(蘇州)技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員。擁有日本新潟大學(xué)自然科學(xué)研究科微機(jī)電系統(tǒng)工程碩士學(xué)位,師從日本MEMS領(lǐng)域知名專家安部隆教授,留學(xué)期間主攻微型傳感器與精密加工技術(shù)。目前作為愛發(fā)科中國區(qū)離子注入工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)核心成員,深耕半導(dǎo)體制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)——離子注入技術(shù)研發(fā)多年,憑借對半導(dǎo)體物理與設(shè)備工藝的深刻理解,成功構(gòu)建覆蓋設(shè)備調(diào)試、工藝開發(fā)到量產(chǎn)導(dǎo)入的全流程技術(shù)體系,累計(jì)攻克多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,當(dāng)前主要致力于第三代半導(dǎo)體核心設(shè)備攻堅(jiān):作為研發(fā)負(fù)責(zé)人牽頭面向12吋IGBT背面離子注入裝備工藝開發(fā)\碳化硅高溫溝道注入工藝開發(fā)項(xiàng)目,突破高能離子束流穩(wěn)定性控制技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)300mm晶圓摻雜均勻性≤0.5%的達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿水平,未來將持續(xù)聚焦寬禁帶半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝領(lǐng)域,重點(diǎn)攻關(guān)面向車規(guī)級芯片的離子注入系統(tǒng)開發(fā),為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)提供核心工藝解決方案。 

 

公司簡介

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愛發(fā)科集團(tuán)作為真空技術(shù)解決方案提供商,以真空技術(shù)為核心,從事面向顯示半導(dǎo)體(TFT-LCD、OLED、MiniLED、Micro-LED、Micro-OLED)、功率半導(dǎo)體(SiC、GaN、IGBT)、鋰電池(復(fù)合集流體CCC/ACC、Pre-Li)、集成電路(Logic、Memory)、MEMS(PZT壓電器件、VOx非制冷紅外)、通信光學(xué)(SAW/BAW、PA、Optical Filter)等領(lǐng)域的真空設(shè)備及靶材的銷售,并提供設(shè)備安裝調(diào)試、定期保養(yǎng)、維護(hù)維修、零部件銷售、設(shè)備改造、零部件清洗等集團(tuán)公司產(chǎn)品及服務(wù)。

愛發(fā)科

時(shí)間地點(diǎn)

5月22日-24日

(5月22日下午報(bào)到,23-24日會(huì)議日)

南京熹禾涵田酒店(南京市浦口區(qū)象賢路158號) 

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ofran.cn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

大會(huì)主席:郭宇鋒 聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰程序委員會(huì):盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任:姚佳飛  

副主任:涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等 

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù);制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真,建模與設(shè)計(jì)、封裝與測試 

會(huì)議日程

議程

備注:上述日程或有更新僅供參考,最終以現(xiàn)場實(shí)際為準(zhǔn)!

會(huì)議參與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等 

會(huì)議參與

動(dòng)注冊:   

注冊費(fèi)2800元,5月15日前注冊報(bào)名2500元(含會(huì)議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

繳費(fèi)方式:

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

移動(dòng)支付 

備注:通過銀行匯款/移動(dòng)支付,請務(wù)必備注:單位簡稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。 

掃碼預(yù)報(bào)名:

掃碼報(bào)名 

備注:此碼為預(yù)報(bào)名通道,完成信息提交后,

需要對公匯款或者掃碼支付注冊費(fèi)。

 

論文投稿及報(bào)告咨詢:

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系:

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com張

女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)(英文)》。 

會(huì)議酒店:

會(huì)議酒店  

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價(jià)格:標(biāo)間&大床房,400元/晚,含早餐

地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號

聯(lián)系人:陸經(jīng)理 

電話:15050562332、025-58628888

郵箱:503766958@qq.com

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