具有p型GaN帽的AlGaN/GaN基高電子遷移率晶體管（p-GaN HEMT）已成為高壓和高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有前景的常關(guān)器件。然而，p-GaN-HEMT仍然存在與p-GaN下溝道恢復(fù)困難相關(guān)的導(dǎo)通電阻退化，以及由柵極可控性差引起的閾值電壓（VTH）不穩(wěn)定等關(guān)鍵問(wèn)題需要面對(duì)。 

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。  

會(huì)議設(shè)有開(kāi)幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。  

屆時(shí)，上海大學(xué)微電子學(xué)院副教授任開(kāi)琳將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

嘉賓簡(jiǎn)介

任開(kāi)琳，上海大學(xué)微電子學(xué)院副教授，中國(guó)圖象圖形學(xué)學(xué)會(huì)(CSIG)智能圖像感知微系統(tǒng)專(zhuān)業(yè)委員會(huì)委員。博士畢業(yè)于新加坡國(guó)立大學(xué)微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)，2021年12月入選上海市海外高層次人才引進(jìn)計(jì)劃。

從事寬禁帶半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)與工藝、器件建模、功率集成電路設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的研究，近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、JAP等微電子領(lǐng)域權(quán)威期刊上發(fā)表SCI論文二十余篇，在國(guó)際會(huì)議上報(bào)告研究成果5次。主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目一項(xiàng)，主持上海市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目一項(xiàng)，參與了上海市“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”高新技術(shù)領(lǐng)域項(xiàng)目、新加坡教育部創(chuàng)新研究基金等多個(gè)縱向項(xiàng)目和企業(yè)委托技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。

上海大學(xué)微電子學(xué)院成立于2019年11月，坐落于上海大學(xué)嘉定校區(qū)，由上海大學(xué)與中科院上海分院、嘉定區(qū)政府、上海微技術(shù)工業(yè)研究院等集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新企業(yè)共建。學(xué)院立足上海集成電路“一體兩翼”產(chǎn)業(yè)布局的嘉定翼，致力于通過(guò)產(chǎn)教融合、科教融合和學(xué)科交叉融合，建成準(zhǔn)工業(yè)化、國(guó)際化的國(guó)際一流微電子學(xué)院，面向國(guó)民經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，培養(yǎng)具有家國(guó)情懷、全面發(fā)展、卓越創(chuàng)新的集成電路行業(yè)緊缺人才，服務(wù)國(guó)家重大戰(zhàn)略需求。學(xué)院入選國(guó)家首批集成電路科學(xué)與工程一級(jí)學(xué)科碩士學(xué)位授權(quán)點(diǎn)；獲批首批國(guó)家級(jí)現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院，是上海市集成電路領(lǐng)域唯一入選；科教融合教改項(xiàng)目入選國(guó)家發(fā)改委/科技部《全面創(chuàng)新改革任務(wù)揭榜清單》；微電子科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)獲批上海市一流本科專(zhuān)業(yè)建設(shè)；《中國(guó)“芯”路》、《集成電路與微納制造基礎(chǔ)》入選上海市一流本科課程。

會(huì)議時(shí)間：5月22-24日（5月22日下午報(bào)到，23-24日會(huì)議日）

會(huì)議酒店：中國(guó)·南京·熹禾涵田酒店（南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)）

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ofran.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

大會(huì)主席：郭宇鋒

聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰

程序委員會(huì)：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來(lái)利 程新紅 楊媛 楊樹(shù) 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任：姚佳飛

副主任：涂長(zhǎng)峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試

會(huì)議日程

備注：上述日程或有微調(diào)，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

參會(huì)及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等

活動(dòng)參與：   

注冊(cè)費(fèi)2800元，5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開(kāi)戶(hù)行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱(chēng)：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱(chēng)+姓名+南京，以便后續(xù)查詢(xún)及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報(bào)名

備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢(xún)：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx    文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。 

會(huì)議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價(jià)格：標(biāo)間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)

郵箱：503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332  025-58628888