每?jī)赡暌粚玫娜珖?guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議（WBSC）迎來(lái)了第四屆，將于2021年10月12-15日（延期至11月7-10日）在美麗的鷺島廈門舉辦。

 

寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新，八年前，首屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議召開。今年，第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)共同主辦，廈門大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。

據(jù)了解，本屆大會(huì)以“芯動(dòng)力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題，由廈門大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長(zhǎng)共同擔(dān)任大會(huì)主席。同時(shí)，邀請(qǐng)了強(qiáng)大的顧問(wèn)委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)專家團(tuán)。

 

大會(huì)強(qiáng)大的專家團(tuán)隊(duì)將與來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表們一道，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。

 

大會(huì)程序委員會(huì)委員邱宇峰教授將出席會(huì)議并帶來(lái)題為“18kV SiC IGBT研制”的大會(huì)報(bào)告。

 

邱宇峰是廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)，曾任全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書記、副院長(zhǎng)；輸配電及節(jié)電技術(shù)國(guó)家工程研究中心主任；電力行業(yè)電能質(zhì)量及柔性輸電標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)主任等職務(wù)。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統(tǒng)繼電保護(hù)等領(lǐng)域的研發(fā)工作，是中國(guó)大功率電力電子技術(shù)的主要開創(chuàng)者之一。

 

邱宇峰教授曾主持完成了國(guó)家973、863項(xiàng)目等多項(xiàng)研究，完成了中國(guó)第一臺(tái)用于輸電系統(tǒng)的靜止無(wú)功補(bǔ)償器、世界首臺(tái)1000kV串聯(lián)補(bǔ)償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個(gè)200kV直流斷路器等技術(shù)研發(fā)與工程應(yīng)用，為特高壓電網(wǎng)及智能電網(wǎng)在中國(guó)的建設(shè)和發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。獲得國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)、國(guó)家能源科技進(jìn)步獎(jiǎng)1項(xiàng)及16項(xiàng)省部級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。

 

SiC IGBT代表著功率器件的較高水平，目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決。本屆大會(huì)上，邱宇峰教授將與業(yè)界分享關(guān)于18kV SiC IGBT研制的最新研究成果，敬請(qǐng)期待！

目前大會(huì)征文及報(bào)名工作正有序進(jìn)行中，論文摘要提交將于8月10日截止，報(bào)名繳費(fèi)優(yōu)惠將于9月10日截止。歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流！更多詳情見大會(huì)官網(wǎng)：http://www.wbsc.org.cn/