中芯國際聯合首席執行官趙海軍在二季度電話會議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經達產，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產品平臺都導入了。（這部分）產能處于緊俏狀態，客戶不斷進來。”

據了解，前不久中芯國際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔任中芯國際研發副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發。此前吳金剛博士離職時，中芯國際發表公告，表示離職后，吳金剛博士不再擔任公司任何職務。目前公司的技術研發工作均正常進行，吳金剛博士的離職未對公司整體研發實力產生重大不利影響。

 

目前，臺積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結構，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結構選擇上，兩者出現分歧。三星選擇采用 GAA 結構，臺積電則出于穩健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝繼續沿用 FinFET 技術。

 

近日，三星代工廠流片了基于環柵 (GAA) 晶體管架構的 3nm 芯片，通過使用納米片（Nanosheet）制造出了 MBCFET（多橋通道場效應管），可顯著增強晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術。三星執行副總裁兼代工銷售和營銷主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結構的下一代工藝節點（3nm）將使三星能夠率先打開一個新的智能互聯世界，同時加強我們的技術領先地位”。

 

分析稱，2nm 或將是 FinFET 結構全面過渡到 GAA 結構的技術節點。在經歷了 Planar FET、FinFET 后，晶體管結構將整體過渡到 GAAFET 結構上。根據國際器件和系統路線圖（IRDS）的規劃，在 2021-2022 年以后，FinFET 結構將逐步被 GAA 結構所取代。