9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，啟迪半導體研發總監鈕應喜帶來了“碳化硅外延裝備及技術進展”的主題報告，報告指出，碳化硅外延發展至今從理論、設備、工藝技術等方面已經取得很大的進展。理論方面：首先是臺階流模型的提出，其次是引入TCS生長體系，在理論基礎上，設備應從硅烷體系發展到了氯基體系，外延設備也陸續實現國產替代；再次就是未來4H-SiC外延生長將向多片式、大尺寸、高均勻性、低缺陷方向發展；最后，為了使器件的性能能夠進一步提升，通過外延來實現部分器件結構，主要是開發SiC外延溝槽填充技術，進一步降低器件的導通電阻；在高壓應用方面，厚膜生長技術比較滯后，未來需要解決的技術有：厚膜少子壽命，缺陷控制，材料的均勻性。
嘉賓簡介
鈕應喜博士，主要從事第三代半導體材料和器件的研制；申請國家專利64項；牽頭編制國家標準兩項，發布行業標準一項，團體標準多項。發表論文40余篇；作為項目負責人主持安徽省重大項目2項；作為任務課題負責人承擔2項國家重點研發計劃和863項目。為教授級高級工程師，安徽省技術領軍人才；國際IEC及SEMi化合物標準會委員；全國半導體器件、全國半導體材料標準委員會委員。
