此外，昭和電工表示，雙方將進一步加強技術(shù)合作，以提高SiC外延片的特性均勻性和低缺陷密度”）。

 

昭和電工表示，“作為全球最大的碳化硅外延片制造商，我們以‘一流’為座右銘，為快速擴張的市場提供高性能和高可靠性的產(chǎn)品，并減少產(chǎn)生的功率損耗和熱量。”推廣節(jié)能型碳化硅功率半導(dǎo)體。”

 

 

今年八月，昭和電工宣布，將藉由公募增資、第三者配額增資籌措約1,100億日圓資金，其中約700億日圓將用于擴增SiC晶圓等半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。

 

昭和電工指出，藉由公募增資、第三者配額增資，以及視需求動向?qū)嵤┏~配售(Over allotment)，預(yù)估最高將發(fā)行3,519萬股新股、約相當(dāng)于現(xiàn)行已發(fā)行股數(shù)的2成比重，最高將籌得1,093億日圓資金。

 

在上述1,093億日圓資金中、約700億日圓將用于增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。就細(xì)項來看，昭和電工計劃投資58億日圓增產(chǎn)使用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓以及鋰離子電池材料、增產(chǎn)工程預(yù)計于2023年12月完工；投資59億日圓增產(chǎn)電子材料用高純度氣體、預(yù)計2023年12月完工；投資232億日圓提高研磨液(CMP Slurry)產(chǎn)能及改善質(zhì)量、預(yù)估2023年12月完工；投資248億日圓增產(chǎn)使用于印刷電路板(PCB)的銅箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，預(yù)計2024年3月完工。

 

日本市調(diào)機構(gòu)富士經(jīng)濟(Fuji Keizai)6月10日公布調(diào)查報告指出，自2021年以后，在汽車/電子設(shè)備需求加持下，預(yù)估碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導(dǎo)體市場將以每年近20%的速度呈現(xiàn)增長，2030年市場規(guī)模預(yù)估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。

 

其中，因汽車/電子設(shè)備需求加持，來自中國、北美、歐洲的需求揚升，預(yù)估2030年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍；GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍；氧化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估為465億日圓。

 

 

據(jù)日經(jīng)在年初的報道，日本各家電子零件廠加快對EV相關(guān)零件進行增產(chǎn)投資，其中Rohm計劃在今后5年內(nèi)投資600億日圓、將使用于EV的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的5倍。

 

報導(dǎo)指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的研發(fā)上居領(lǐng)先，于全球SiC功率半導(dǎo)體市場握有2成市占率，和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應(yīng)商之一，而其產(chǎn)能擴增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料也以經(jīng)由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。

 

早在幾年前，羅姆就規(guī)劃將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房，預(yù)計于2019年2月動工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示，公司將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴增至2016年度16倍。

 

而在早前，ROHM最近舉行了開幕式，宣布將于2019年2月開始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工，以增強SiC功率器件的生產(chǎn)能力。

 

新大樓是一家最先進的環(huán)保工廠，其生產(chǎn)設(shè)施采用了許多節(jié)能技術(shù)，其中100％的電力來自可再生能源。

 

此外，我們通過引入各種災(zāi)難對策來增強BCM（業(yè)務(wù)連續(xù)性管理）系統(tǒng)。從2021年1月起，我們將開始安裝生產(chǎn)設(shè)備并構(gòu)建能夠滿足SiC功率器件中長期增長需求的制造系統(tǒng)。

 

據(jù)報道，自2010年以來，ROHM一直在大量生產(chǎn)包括SiC SBD和MOSFET在內(nèi)的SiC功率器件，該公司在技術(shù)開發(fā)方面繼續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，例如推出了業(yè)界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時，羅姆擁有一個集成的生產(chǎn)系統(tǒng)，致力于通過增加硅片直徑和利用最新設(shè)備來提高生產(chǎn)效率，同時還減少了制造對環(huán)境的影響。

 

除了這棟新建筑外，羅姆集團旗下生產(chǎn)SiC硅片的SiCrystal GmbH計劃從下一個財年開始使用100％可再生能源運營，從而將工廠購買的電力所產(chǎn)生的CO 2排放量降至零。結(jié)果，所有主要的SiC芯片生產(chǎn)工藝都將使用環(huán)保的可再生能源。

 

除了羅姆外，其他日本廠商也都在投入到電動汽車產(chǎn)業(yè)中。

 

據(jù)了解，富士電機( Fuji Electric )將投資約1,200億日圓擴增日本國內(nèi)外工廠產(chǎn)能、增產(chǎn)功率半導(dǎo)體；東芝( Toshiba )計劃在2023年度結(jié)束前投資約800億日圓、將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高3成；日本電產(chǎn)( Nidec )將砸下2,000億日圓在歐洲興建EV用驅(qū)動馬達(dá)新工廠。TDK將在三年內(nèi)投資超過5,200億日元，以增加蓄電池和其他產(chǎn)品的產(chǎn)量。

 

日廠增產(chǎn)EV相關(guān)零件，主要是因為全球各國推出減碳政策、推升EV需求。根據(jù)波士頓顧問集團(Boston Consulting Group；BCG)的試算，2025年EV等電動化車款占全球新車銷售量比重有望自2020年的10%揚升至31%水準(zhǔn)。

 

日本市調(diào)機構(gòu)富士經(jīng)濟(Fuji Keizai)2020年6月5日公布調(diào)查報告指出，2030年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將擴增至4兆2,652億日圓、將較2019年(2兆9,141億日圓)大增46.4%。

 

其中，2030年碳化硅(SiC)制功率半導(dǎo)體全球市場規(guī)模預(yù)估將擴增至2,009億日圓、將達(dá)2019年(436億日圓)的4.6倍；氮化鎵( GaN )產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)估為232億日圓、將達(dá)2019年(19億日圓)的12.2倍。