近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。

人們一直在推動(dòng)將更寬的帶隙材料用于電力電子設(shè)備，帶隙越寬，擊穿場(chǎng)越大，這為制造具有相同材料厚度的更高擊穿電壓的器件打開(kāi)了大門(mén)。然而，通常，向更寬帶隙的轉(zhuǎn)變伴隨著更具挑戰(zhàn)性的摻雜，以及制造高質(zhì)量原生襯底的困難。從這些方面來(lái)看，氧化鎵似乎提供了超越SiC和GaN的最佳位置。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING做了題為“對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga₂O₃ ”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。報(bào)告指出，最有前途的氧化鎵形式之一是其b-phase相，其帶隙為4.5-4.7 eV。 幸運(yùn)的是，很容易以可控的方式摻雜這種n型氧化物，實(shí)現(xiàn)跨越 10¹⁵ cm^-3 to 10²⁰ cm^-3.的摻雜。Ga₂O₃一個(gè)令人鼓舞的方面是這種材料的單晶襯底可以很容易地用熔體生長(zhǎng)技術(shù)生產(chǎn)，反映了由硅制成的那些襯底的制造。另一方面，Ga₂O₃的熱導(dǎo)率相當(dāng)?shù)停芸赡軣o(wú)法摻雜 Ga₂O₃ p型。鑒于所有這些承諾和障礙，報(bào)告中還探討了是否有可能獲得Ga₂O₃ 大帶隙帶來(lái)的所有好處并展示優(yōu)于SiC和 GaN制造的器件。

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