2月10日，國產功率半導體廠商東微半導登陸科創板。
開市后，東微半導漲至148元/股，之后有所回落。截至成文，東微半導報132元/股，總市值90億元。
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募資9.39億，加碼功率半導體！
據悉，東微半導本次募集資金投資項目如下：
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超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化項目
項目投資額為 20,414.58 萬元。項目是對高壓超級結 MOSFET 產品及中低壓屏蔽柵 MOSFET 產品的設計及工藝技術等方面進行改進和提升。
高壓超級結 MOSFET 產品升級具體包括 8 英寸第三代超級結 MOSFET 產品及 12 英寸先進工藝超級結 MOSFET 產品的設計及工藝技術提升；中低壓屏蔽柵 MOSFET 產品升級具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓 MOSFET 及高魯棒性中低壓 MOSFET 產品的涉及工藝技術提升。
新結構功率器件研發及產業化項目
項目投資10,770.32 萬元，本項目擬在未來三年陸續推出高速率 IGBT、超級硅 MOSFET 以及新一代高速大電流功率器件產品。可廣泛應用于 5G 基站、新能源汽車直流充電樁、光伏逆變器等細分領域。
其中，IGBT 產 品研發涉及 900V 以下三柵 IGBT、900V 及以上三柵 IGBT、車規級高可靠性 IGBT 及 12 英寸先進制程 IGBT 產品系列的研發及產業化；超級硅 MOSFET 產品研發涉及第一 代及第二代超級硅 MOSFET 的研發及產業化；新一代高速大電流功率器件系列主要為 600V/650V Hybrid-FET 器件的研發及產業化。
研發工程中心建設項目
項目總投資額為 16,984.20 萬元，項目是圍繞 SiC 器件、新型硅基高壓功率器件方向進行產品技術的創新研發，開發新的技術方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定資產投入，優化實驗環境，提升測試效率，進一步保障產品質量。
東微半導計劃在超薄晶圓背面加工技術和高功率密度芯片及模塊封裝技術方向進行持續研發投入，提高工藝技術，進一步提升產品性能。
科技與發展儲備資金
項目是結合公司戰略發展的目標，在產業并購及整合的用途中，公司考慮重點在汽車級 功率器件設計、SiC 功率器件設計以及模塊設計應用等方向投資并購國內外優質企業。
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華為哈勃投資
值得注意的是，2020年7月，東微半導獲得了華為哈勃的投資。
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同年12月，江蘇監管局披露了東微半導輔導備案信息。其保薦機構為中金公司，于2020年12月18日進行上市輔導備案。
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關于東微半導
據悉，東微半導成立于2008年，是一家技術驅動型的國產功率半導體廠商。產品主要有高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列、IGBT系列三大系列產品，公司的產品廣泛應用于以新能源汽車直 流充電樁、5G 基站電源及通信電源、數據中心服務器電源和工業照明電源為代表的工 業級應用領域，以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機快速充電器為代表的消費 電子應用領域。同時，公司不斷進行技術創新，進一步開發了超級硅 MOSFET、 TGBT 等新產品。
據6月17日，東微半導發布招股說明書中顯示，公司主營業務收入構成情況如下：
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