據日經亞洲評論2月11日報道：羅姆將在2022年春季之前開始量產被視為新一代半導體的氮化鎵（GaN）半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”，據稱和此前的硅半導體相比，新產品能把電流切換時的損耗減少6成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設生產設備，首先面向5G基站等供貨。

 

羅姆將量產能承受150伏電壓的產品，用于數據中心和通信基站。在2021年9月，已經啟動樣品供貨。新產品采取在硅晶圓之上形成氮化鎵層的結構，包括濱松市工廠在內，羅姆將在海內外各基地進行生產。

羅姆力爭在2025財年（截至2026年3月）之前，使半導體元件業務的營業收入達到目前的1.5倍，增至2100億日元規模。