晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商，技術(shù)實(shí)力處于國際領(lǐng)先地位。

 

　　據(jù)了解，晶湛半導(dǎo)體在發(fā)展過程中，在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項(xiàng)第一。2014年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補(bǔ)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高?？蒲性核蛻艚V泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。

 

　　晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計(jì)申請近400項(xiàng)專利，其中已獲得超100項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識(shí)產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎(jiǎng)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎(jiǎng)、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。

 

　　近年來，在國家“十四五”規(guī)劃、“碳達(dá)峰碳中和”等重磅利好政策的指導(dǎo)下，在移動(dòng)手機(jī)快充、新能源汽車、下一代移動(dòng)通信、“元宇宙”和新型顯示等市場創(chuàng)新應(yīng)用的持續(xù)推動(dòng)下，氮化鎵迎來了高速發(fā)展的歷史機(jī)遇期，已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明日之星。本次B+輪戰(zhàn)略融資將主要用于晶湛半導(dǎo)體總部和研發(fā)中心建設(shè)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后晶湛半導(dǎo)體將建成國際一流、國內(nèi)首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地，推動(dòng)晶湛半導(dǎo)體進(jìn)入新的發(fā)展階段。