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碳化硅技術(shù)再突破 爍科晶體、晶盛機(jī)電、露笑科技迎新進(jìn)展

日期:2022-03-04 來源:全球半導(dǎo)體觀察閱讀:364
核心提示:碳化硅(SiC)晶體是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在集成電路各細(xì)分領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。其晶體生長極其困難,核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達(dá)國家如WolfSpeed、德國SiCrystal 等公司壟斷。
碳化硅(SiC)晶體是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在集成電路各細(xì)分領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。其晶體生長極其困難,核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達(dá)國家如WolfSpeed、德國SiCrystal 等公司壟斷。
 
近日,山西爍科晶體有限公司(以下簡稱“爍科晶體”)宣布,成功研制出8英寸碳化硅晶體、晶片。除了爍科晶體外,晶盛機(jī)電、露笑科技、吉星公司、山東天岳先進(jìn)近日也在國產(chǎn)碳化硅晶體上更進(jìn)一步。
 
爍科晶體8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)
 
爍科晶體官方宣布已于2022年1月實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出關(guān)鍵一步。去年8月,爍科晶體已研制出8英寸碳化硅晶體,解決大尺寸單晶制備的重要難題。
 
爍科晶體官網(wǎng)顯示,公司成立于2018年,是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝,N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線,并在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。
 
晶盛機(jī)電6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗(yàn)證
 
晶盛機(jī)電近期在投資者關(guān)系活動記錄表中披露,公司已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線,6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗(yàn)證,且在今年2月,已有客戶與公司形成采購意向。
 
近日,晶盛機(jī)電攜碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶寧夏。據(jù)介紹,該項(xiàng)目總投資50億元,該項(xiàng)目分兩期建設(shè),將建設(shè)約7.5萬平方米廠房及輔助設(shè)施,主要生產(chǎn)6英寸及以上導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預(yù)計(jì)3月開工建設(shè),投資總額33.6億元,一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片,年?duì)I業(yè)收入24億元。
 
吉星公司成功批量生長出6英寸碳化硅晶體
 
2021年年末,吉星公司官方披露,已成功批量化生長出6英寸碳化硅晶體。據(jù)悉,該公司已具備完整的藍(lán)寶石襯底加工生產(chǎn)線、超前的大尺寸襯底、鏡面研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力。
 
露笑科技碳化硅項(xiàng)目進(jìn)入正式投產(chǎn)階段
 
2021年末,露笑科技公布了公司碳化硅項(xiàng)目的進(jìn)展公告。據(jù)悉,合肥露笑半導(dǎo)體一期已完成主要設(shè)備的安裝調(diào)試,進(jìn)入正式投產(chǎn)階段。
 
資料顯示,該項(xiàng)目總投資100億元,主要建設(shè)國際領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)的設(shè)備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。項(xiàng)目將分三期建設(shè),其中第一期預(yù)計(jì)投資21億元,建成達(dá)產(chǎn)后,可形成年產(chǎn)24萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力。
 
今年2月25日,露笑科技子公司合肥露笑半導(dǎo)體與東莞天域半導(dǎo)體簽訂《戰(zhàn)略合作協(xié)議》,協(xié)議約定在滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)要求的同等條件下,公司2022 年、2023 年、2024 年需為東莞天域預(yù)留6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片產(chǎn)能不少于15 萬片。公開消息顯示,天域是國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)的企業(yè),且該公司已布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設(shè),目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。
 
山東天岳先進(jìn)6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2023年形成量產(chǎn)

2021年7月,下旬,山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司(以下簡稱“天岳先進(jìn)”)披露,了6英寸半絕緣型襯底的生產(chǎn)計(jì)劃將根據(jù)下游行業(yè)和客戶對6英寸產(chǎn)品的需求情況制定,預(yù)計(jì)在2023年形成量產(chǎn)。
 
今年,1月12日,山東天岳先進(jìn)在上交所科創(chuàng)板上市。據(jù)悉,天岳先進(jìn)擬將募集的25億資金,全部投向碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目,該項(xiàng)目主要用于生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料,預(yù)計(jì)在2026年100%達(dá)產(chǎn),將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。
 
結(jié)語
 
縱觀國內(nèi)外,目前國際上已實(shí)現(xiàn) 6 英寸晶片規(guī)模化供應(yīng),部分領(lǐng)先企業(yè)已成功研制并投資建設(shè)8英寸晶片產(chǎn)線。我國企業(yè)在國家政策的強(qiáng)力支持下,近年來發(fā)展大幅增速,逐步趕超 6 英寸和8英寸晶片生產(chǎn)。未來國內(nèi)企業(yè)有望突破壁壘、追趕與發(fā)展。 
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