半導體產業網消息：3月31日晚間，第三代半導體襯底材料生產商天岳先進披露了上市后首份年報。2021年公司實現營收4.94億元，同比增長16.25%；歸母凈利潤8995.15萬元，成功實現扭虧為盈。
第三代半導體材料碳化硅襯底是天岳先進的核心產品及主要收入來源，經過十余年的技術積累，公司已掌握涵蓋晶體生長、襯底加工等各環節核心技術。天岳先進市場影響力持續增強，根據行業知名機構Yole報告顯示，在半絕緣碳化硅襯底領域，公司已經連續三年市占率位列全球前三。公司自主研發的半絕緣型碳化硅襯底產品，廣泛應用于5G通信、國防軍工、航空航天等射頻領域。2019年12月，公司獲得國家科學技術進步一等獎。
根據 yole 報告統計，2021 年公司在半絕緣碳化硅襯底領域，市場占有率連 續三年保持全球前三。同時，公司正加快提升導電型襯底產能建設。
目前，天岳先進為迎接導電型襯底市場的爆發，科創板上市募集資金約35億元，主要用于提升導電型襯底產能，加速推進其上海臨港項目。該項目被列為2022年上海市重大建設項目，預計三季度實現一期項目投產。據悉，達產后將新增碳化硅襯底材料產能約30萬片/年，是目前公司產能的六倍之多，將有效緩解公司產能不足。
本項目主要用于生產 6 英寸導電型碳化硅襯底材料，滿足下游電動汽車、新能源并網、智能電網、儲能、開關電源等碳化硅電力電子器件 應用領域的廣泛需求。本項目預計2022年三季度實現一期項目投產，并計劃于 2026 年達產，達產后將新增碳化硅襯底材料產能約30 萬片/年。同時，公司也將智慧工廠納入實現未來發展戰略的實施路徑。
2021 年公司銷售襯底約57,000 片。近年來為滿足日益增長的市場需求，搶占產業高地，公司積極優化產能布局。公司已在山東濟南、濟寧建立碳化硅襯底生產基地，主要生產半絕緣型襯底；上海臨港項目定位為 6 英寸導電型碳化硅襯底生產基地。隨著臨港項目的建設，預期公司產能將得到持續提升。同時公司在日本設立研發及銷售中心，積極開拓海外市場。未來，公司將始終以客戶為中心，不斷加大研發投入、強化自主創新、加快產品迭代、提升產品質量、增加產能、擴大市場份額，致力于成為國際寬禁帶半導體行業的領軍企業。
2021 年公司銷售襯底約57,000 片。近年來為滿足日益增長的市場需求，搶占產業高地，公司積極優化產能布局。公司已在山東濟南、濟寧建立碳化硅襯底生產基地，主要生產半絕緣型襯底；上海臨港項目定位為 6 英寸導電型碳化硅襯底生產基地。隨著臨港項目的建設，預期公司產能將得到持續提升。同時公司在日本設立研發及銷售中心，積極開拓海外市場。未來，公司將始終以客戶為中心，不斷加大研發投入、強化自主創新、加快產品迭代、提升產品質量、增加產能、擴大市場份額，致力于成為國際寬禁帶半導體行業的領軍企業。
另外，天岳先進研發投入高增長，持續構筑領先的技術優勢。公司2021年在研項目的研發投入將近1.42億元，主要集中在大尺寸及導電型襯底領域。年報顯示，去年研發投入較上一年增長62.05%。一方面公司持續加大針對導電型襯底大規模產業化相關的研發投入，為滿足上海臨港項目投產奠定基礎；另一方面，公司持續加大大尺寸高性能指標產品的研發和技術迭代，持續保持領先的競爭優勢。
天岳先進表示，持續研發投入也提升了公司長遠競爭優勢。依托“8英寸寬禁帶碳化硅半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術項目”等項目，公司在加快研發大尺寸碳化硅襯底以及提升導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展。
不過，天岳先進在財報中還表示，近年來憑借卓越的研發及創新能力，公司已成為全球為數不多的掌握半絕緣型和導電型碳化硅襯底、產品尺寸較全的碳化硅襯底生產商。在碳化硅襯底領域，企業量產的碳化硅襯底尺寸大小、同尺寸產品的參數指標是評價產品技術水平優劣的關鍵綜合評價指標。目前，公司與全球行業龍頭企業相比，同尺寸產品在技術參數上不存在明顯差距；且公司 4 英寸產品已經量產，與全球行業龍頭企業相比差距較小；但在各尺寸量產時間、大尺寸產品供應情況及供應鏈配套等方面仍與全球龍頭企業存在一定差距。
不過，天岳先進在財報中還表示，近年來憑借卓越的研發及創新能力，公司已成為全球為數不多的掌握半絕緣型和導電型碳化硅襯底、產品尺寸較全的碳化硅襯底生產商。在碳化硅襯底領域，企業量產的碳化硅襯底尺寸大小、同尺寸產品的參數指標是評價產品技術水平優劣的關鍵綜合評價指標。目前，公司與全球行業龍頭企業相比，同尺寸產品在技術參數上不存在明顯差距；且公司 4 英寸產品已經量產，與全球行業龍頭企業相比差距較小；但在各尺寸量產時間、大尺寸產品供應情況及供應鏈配套等方面仍與全球龍頭企業存在一定差距。
