其中，聚焦高水平科技供給，實施關鍵核心技術攻堅提質行動。積極爭取國家重點研發計劃、關鍵核心技術攻關等國家任務。著力服務太忻一體化經濟區建設，在先進制造業、半導體等領域，以“揭榜掛帥”方式，新布局實施一批科技重大專項。在高端裝備制造、信創、新材料等方面系統梳理產業鏈上下游重點環節技術瓶頸，精準部署100項重點研發計劃項目。從創新平臺基地建設、科技成果轉化引導、科技戰略研究、科技合作交流、創新人才團隊、創新服務能力、科技獎補、科技金融以及科普宣傳等9方面實施300個專項項目，提升產業鏈供應鏈韌性。聚焦高起點平臺培育，實施創新平臺建設提質行動，啟動國家第三代半導體技術創新中心(山西)建設。
 

恰逢其時，全國MOCVD學術會議作為MOCVD技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，已經成功舉辦了十六屆，會議規模和影響力越來越大，成為全國學術界和產業界廣泛參與的學術盛會。第十七屆全國MOCVD學術會議將于8月15-18日在山西太原召開！

本屆大會是在國家科學技術部指導下，由中國有色金屬學會、中國科學院半導體研究所、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦，半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京第三代半導體材料及應用工程技術研究中心、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，山西大學、中北大學、山西師范大學等單位協辦支持。

 

金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取得了飛速進步，已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結構，極大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料及相關器件研究的關鍵技術。未來MOCVD技術的發展將會給化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。

 

為此，大會以“探索材料新動能·智創未來芯發展”為主題，屆時與會專家學者、工程技術人員和企業家將圍繞MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯網、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學術研究、技術進步及半導體產業發展起到有力的推動作用。

 

同時，大會征文活動同步啟動，將面向外延生長機理和生長動力學，半導體材料結構與物性，光電子材料與器件，電子材料與器件，超寬禁帶半導體材料與器件，低維半導體等新型材料與器件，封裝技術及封裝材料，裝備與基礎原材料等方向展開廣泛征文。》》》點擊查看詳情