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4H-SiC紫外光電探測器最新成果

日期:2022-06-24 閱讀:401
核心提示:碳化硅(4H-SiC)材料禁帶寬度器大、本征載流子濃度低、抗輻射能力強,可用于制備對可見光完全沒有響應的可見光盲紫外光電探測器
碳化硅(4H-SiC)材料禁帶寬度器大、本征載流子濃度低、抗輻射能力強,可用于制備對可見光完全沒有響應的可見光盲紫外光電探測器。本項目組獨立研制、生產的低噪聲4H-SiC PIN光電二極管,具有檢測靈敏度高、噪聲低、使用方便等優點,光譜響應范圍約200-400nm,對可見光完全無響應,峰值響應度約0.13A/W@270nm,光敏面積包括200×00μm2、400×400μm2、1*1mm2、2*2mm2等多種規格,封裝有表面封裝(SMT 3528)、TO46和TO5等,可廣泛應用于實驗室光譜測量、紫外線消毒燈輻射強度監測、太陽紫外線強度指數測量、紫外輻射強度測量等。

Figure 1 4H-SiC PIN光電二極管的光電響應曲線
 
技術成熟度
已小批量生產,已開發出太陽紫外線強度指數監測儀、紫外光電檢測前置放大器、可見光-紫外雙通道照度計、紫外線消毒燈輻射強度監測儀等產品,項目組可提供不同應用的完整解決方案,包括硬件設計、軟件開發、響應度標定等。
 
 
應用范圍
實驗室光譜測量、紫外線消毒燈輻射強度監測、太陽紫外線強度指數測量、紫外輻射強度測量等。


團隊負責人
張峰,廈門大學物理科學與技術學院特聘教授,主要研究領域:1.寬禁帶半導體SiC基MOSFET、IGBT等功率器件研究;2.寬禁帶半導體紫外光電探測器研究;3. 寬禁帶半導體深能級缺陷與少子壽命研究。
(來源:廈大科創夢工場)
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