碳化硅既是芯片領域鍛造長板的重大機會，也是快速響應新能源低碳經濟、電力電子革命的重要抓手，是國家芯片和新能源戰略交匯點。作為功率芯片定位，碳化硅芯片制程對線寬和集成度的要求低于大規模集成電路，是國產裝備規模化應用從泛半導體走向高端的極佳發展平臺。

2023年5月5日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”于長沙開幕。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所聯合組織。

開幕大會上，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任鞏小亮做《碳化硅芯片制造裝備技術發展趨勢及國產化進展》的主題報告，詳細分享裝備技術進展及發展趨勢。

當前國產裝備已經實現從無到有，全面起步，對國內SiC產業從中試到量產的進程起到了較好的支撐。器件性能和成本的持續倒逼和規模化生產對裝備支撐能力不斷提出新要求，向大尺寸、高效率和高產能、低污染、新工藝協同等方面的發展成為裝備技術發展的主要趨勢。8英寸進程加速，集成電路技術向第三代半導體滲透，6/8英寸兼容產線已成為趨勢；工藝線對核心設備的效率和產能要求持續提升，裝備性能、產能提升基礎上面向不同工藝處理特點進一步分型，以更好適應規模化量產；高溫工藝沾污控制、晶圓自動化處理等方面的要求持續提升，對裝備整機與先進材料、零部件等前端協同迭代提出新要求；材料生長與加工、器件新結構、新技術乃至顛覆性解決方案的發展也主要依賴于裝備創新。

中國電科48所圍繞SiC外延和芯片制造全鏈條開展核心裝備開發、迭代與應用，在國內率先開發出碳化硅成套關鍵裝備并逐步成熟，以SiC外延、高溫高能離子注入、高溫激活退火、高溫氧化為代表的系列設備實現批量應用，6英寸機型國內批產應用+訂單近200臺套，支撐SiC器件生產企業規模快速上量，并在2023年全面形成6-8英寸兼容裝備解決方案。

報告指出，當前行業關注度已下沉至原材料、零部件、測試儀器、工業軟件等更為基礎的領域，需要積極構建強大而健康的生態鏈協同發展。48所將依托國家第三代半導體技術創新中心（湖南）平臺，積極布局原始創新和正向設計，加強工藝協同與持續迭代，打通從科學到技術、從技術到產品的創新鏈，協同解決核心零部件產業鏈供應鏈“堵點”，推動國產裝備技術水平和應用規模進一步提升，適應化合物特性和工藝的快速變革式發展和大批量應用要求。

嘉賓簡介

鞏小亮，中國電子科技集團公司第四十八研究所半導體裝備研究部主任，電科裝備高級技術專家，長期從事第三代半導體關鍵裝備攻關與產業化，重點致力于外延生長設備技術研究，主持國家重點研發計劃、湖南省十大技術攻關等重大項目10余項，發表論文10余篇，授權發明專利6項，牽頭制定行業標準2項，獲國資委重大工程突出貢獻個人、湖南省科技創新領軍人才、CASA第三代半導體卓越創新青年、中國電科科學技術獎一等獎、中國電科“十大青年拔尖人才”等榮譽。