碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的重要代表，正在成為制作高性能電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料，有數(shù)據(jù)顯示，碳化硅電力電子器件2021-2027年復(fù)合年均增長(zhǎng)率為34%。碳化硅電力電子器件也已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外研究和產(chǎn)業(yè)化熱點(diǎn)。

2023年5月5日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”于長(zhǎng)沙開幕。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織。

開幕大會(huì)上，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事、常務(wù)副總經(jīng)理彭同華詳細(xì)分享了碳化硅材料技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與新趨勢(shì)，介紹了SiC材料制備工藝流程、SiC晶體生長(zhǎng)方法、SiC晶體加工方法，以及6英寸SiC襯底等技術(shù)進(jìn)展。

報(bào)告指出，碳化硅襯底材料制備和外延生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)全面掌握，能支撐碳化硅器件對(duì)材料質(zhì)量的需求。未來(lái)襯底和外延研發(fā)將朝著生長(zhǎng)速度更快、晶體更厚、尺寸更大、成本更低，技術(shù)參數(shù)分布區(qū)間更窄、均勻性更好等方向發(fā)展。近幾年隨著下游需求的快速增長(zhǎng)，碳化硅材料總體呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)6英寸導(dǎo)電襯底（導(dǎo)電型折合）供應(yīng)量40萬(wàn)片左右。國(guó)產(chǎn)碳化硅材料（導(dǎo)電型+半絕緣型）完全能夠支撐國(guó)內(nèi)下游的需求。國(guó)產(chǎn)碳化硅材料質(zhì)量獲得國(guó)外部件廠家認(rèn)可。

當(dāng)前，碳化硅材料國(guó)產(chǎn)化設(shè)備和原材料加速發(fā)展，碳化硅材料產(chǎn)業(yè)生態(tài)正在加速完成。8英寸碳化硅材料發(fā)展對(duì)新技術(shù)、新裝備是一個(gè)好機(jī)遇。單晶生長(zhǎng)爐、晶體生長(zhǎng)技術(shù)、切割技術(shù)、襯底磨拋技術(shù)、外延生長(zhǎng)等方面，新技術(shù)、新產(chǎn)品、新裝備不斷涌現(xiàn)。

天科合達(dá)業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備制造，碳化硅原料合成，襯底制備和外延生長(zhǎng)，主要產(chǎn)品包括6英寸導(dǎo)電型SiC晶片，6英寸半絕緣型SiC晶片、6英寸SiC晶體、SiC單晶爐。關(guān)鍵核心技術(shù)覆蓋SiC晶體生產(chǎn)全流程。

對(duì)于下一步發(fā)展布局，報(bào)告中透露，天科合達(dá)深圳重投項(xiàng)目預(yù)計(jì)2023年投產(chǎn)，主要生產(chǎn)襯底和外延。生產(chǎn)襯底的江蘇徐州第二期和北京大興二期，預(yù)計(jì)將分別于2024年、2025年投產(chǎn)。