在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。

 

6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。此前4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。

 

具體來看，在尺寸、厚度方面，科友半導體實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

 

缺陷密度方面，科友半導體6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質量處于行業領先水平。

 

生長速率方面，科友半導體基于高熱場穩定性、高工藝穩定性、和高裝備穩定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術，長晶速率已達到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設備每月運轉約6-7爐次。

 

產品良率方面，科友半導體基于6英寸晶體研發生產經驗，開發出適用于8英寸SiC穩定生長的工藝技術，大幅提升了長晶的穩定性、重現性。

 

資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現先進技術自主可控。

 

科友半導體在哈爾濱新區打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。

 

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規模化量產制造技術的領跑者。