近日，浙江大學集成電路學院柯徐剛研究員團隊，提出了一款工業(yè)級可量產(chǎn)、應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的基于第三代半導體氮化鎵的高效率智能供電轉(zhuǎn)換芯片。該工作以題為 “A 96.1% Efficiency 48V-to-IBV GaN Power Converter with Full-Wave Temperature-Compensated Current Sensing and Adaptive Slope Emulation Achieving 4.3% Full-Temperature Sensing Error for AI Data Center Applications” 被 IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2025（簡稱CICC) 接收。論文的第一作者為浙江大學集成電路學院碩士生方逸可。

研究背景

隨著人工智能以及大語言模型的迅速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的能耗不斷增加，高效、小型化以及高集成度的電源轉(zhuǎn)換器的需求變得尤為迫切。傳統(tǒng)的電源轉(zhuǎn)換器通常轉(zhuǎn)換效率低、發(fā)熱嚴重以及需要極大體積的散熱裝置，以及需要較大的PCB面積來容納磁性變壓器和功率器件。相比之下，多相降壓轉(zhuǎn)換器因其更小的磁性元件，更少的功率器件以及更為成熟的控制方式而越來越受歡迎。第三代半導體氮化鎵（GaN）器件與同尺寸的硅 MOSFET 相比，具有更小的寄生電容和更低的導通電阻，是數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)理想的功率器件選擇。第三代半導體氮化鎵可有效的提升供電轉(zhuǎn)換效率，降低功率損耗和發(fā)熱，以及極大的縮小了數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案的尺寸，便于實現(xiàn)更大規(guī)模的數(shù)據(jù)中心算力集成。

課題亮點

本高效率供電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通過集成高壓智能控制器芯片和高性能氮化鎵功率芯片，為數(shù)據(jù)中心構(gòu)建出智能功率集成解決方案。在48V/12V的電壓轉(zhuǎn)換場景下，其單相輸出功率即可達120W以上，而通過多相并聯(lián)配置更能將系統(tǒng)總功率提升至千瓦量級，完全適配數(shù)據(jù)中心對大功率密度電源的嚴苛需求。

系統(tǒng)創(chuàng)新性整合三大關(guān)鍵技術(shù)模塊：首先，基于氮化鎵器件高頻特性優(yōu)化的動態(tài)死區(qū)控制技術(shù)，將死區(qū)時間壓縮至納秒級，在典型的48V轉(zhuǎn)12V應用場景下實現(xiàn)96.1%的峰值轉(zhuǎn)換效率，滿足數(shù)據(jù)中心對高轉(zhuǎn)換效率的要求；其次，實時高精度的溫度檢測網(wǎng)絡(luò)，配合溫度補償方案，成功將氮化鎵功率管的電流檢測誤差控制在±2.2%以內(nèi)（溫度范圍-40℃至125℃），大幅提升系統(tǒng)環(huán)路控制的穩(wěn)定性以及過流保護的響應精度；最后，自適應斜率擬合方案與基于采樣管的電流檢測技術(shù)協(xié)同工作，在極大程度降低損耗的同時，有效確保輸出的電流波形在電流過零點以及開關(guān)切換點處的連續(xù)性與平滑性。

研究成果

隨著通用人工智能AIGC時代的到來，基于GPU/TPU的數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和用電量急劇增加，降低能耗和提升電能轉(zhuǎn)換效率成為系統(tǒng)性的挑戰(zhàn)。根據(jù)統(tǒng)計，基于第三代半導體氮化鎵的高效率智能供電設(shè)備，每年可為大型數(shù)據(jù)中心運營商減少超過數(shù)十億美元的能源成本，并減少近幾百萬噸的二氧化碳排放量。

根據(jù)統(tǒng)計，基于第三代半導體氮化鎵的高效率智能供電設(shè)備，每年可為大型數(shù)據(jù)中心運營商減少超過數(shù)十億美元的能源成本，并減少近幾百萬噸的二氧化碳排放量。為此，課題組提出了一款應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的基于氮化鎵的高效率智能供電轉(zhuǎn)換芯片。該芯片在48V/12V的轉(zhuǎn)換條件下，單相可提供至少百瓦的輸出功率，多相條件下可以提供近千瓦的輸出功率。并且，結(jié)合實時高精度溫度檢測、全波形電流檢測、以及溫度補償和自適應斜率擬合方案，該芯片在全溫度范圍內(nèi)可生成精確的雙向電流檢測信號，實現(xiàn)大功率、高轉(zhuǎn)換效率以及多重保護來實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和工業(yè)可靠性。

文章信息

標題：A 96.1% Efficiency 48V-to-IBV GaN Power Converter with Full-Wave Temperature-Compensated Current Sensing and Adaptive Slope Emulation Achieving 4.3% Full-Temperature Sensing Error for AI Data Center Applications

作者：Yike Fang，Wei He，Jie Zou，Xiang Gao，Lenian He，Xugang Ke

研究團隊簡介

柯徐剛

浙江大學集成電路學院、浙江大學百人計劃研究員

博士畢業(yè)于美國德州大學達拉斯分校（德州儀器總部所在地）。2017年起加入美國硅谷的世界著名半導體公司凌力爾特（Linear Technology）和Analog Devices（ADI），擔任事業(yè)部高級管理職務，帶領(lǐng)團隊負責汽車芯片和高性能模擬芯片產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)，與英偉達和谷歌等數(shù)據(jù)中心電源團隊有合作和交流，且與美系、德系和日系車廠如豐田、本田、馬自達、特斯拉等的一級供應商合作多年。 

2023年起擔任ISSCC全球技術(shù)委員會（TPC）委員，曾四次在集成電路芯片領(lǐng)域國際頂尖ISSCC大會上發(fā)布第三代半導體和汽車芯片的技術(shù)突破。學術(shù)研究聚焦高壓模擬集成電路、高性能高可靠性汽車芯片、汽車和工業(yè)電池管理系統(tǒng)BMS以及第三代半導體功率芯片等?？偣舶l(fā)表國際論文數(shù)十篇，其中包含集成電路芯片領(lǐng)域國際頂級會議和期刊ISSCC/JSSC/VLSI論文10篇，擁有中國、美國和歐洲專利數(shù)十項。

方逸可

浙江大學集成電路學院2024級碩士研究生

研究方向為功率及模擬集成電路設(shè)計，包括高壓電源轉(zhuǎn)換器及氮化鎵驅(qū)動。

（來源：浙江大學集成電路學院）