2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。

持續攻克碳化硅工藝難點

實驗室工藝中心團隊在充分調研及大量驗證測試的基礎上，充分梳理關鍵工藝及工藝風險點，周密制定開發計劃，在4個月內連續攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關鍵工藝問題。開發了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝，實現了低溝槽表面粗糙度刻蝕，打通了高厚度一致性及均一性、低界面態密度溝槽柵氧介質結構及工藝，制定并實施了低阻n型和p型歐姆接觸的合金化技術方案，系統性地解決了一直困擾業界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項工藝難題。

實現自主IP的碳化硅（SiC）溝槽技術

碳化硅（SiC）溝槽結構因其獨特的優勢被認為是碳化硅MOSFET器件未來的主流設計，國際領先企業已建立先進的溝槽結構的技術領先，國內處于追趕階段。九峰山實驗室面向前沿技術進行突破，重點聚焦先進溝槽工藝的研究，完成自主IP布局，并集中資源開發了碳化硅溝槽器件制備中的溝槽刻蝕、高溫柵氧、離子注入等關鍵核心單點工藝，形成了自主IP的成套工藝技術能力。

未來，九峰山實驗室將繼續以基礎性、前瞻性、特色性的原創成果和優質資源支持產業界解決關鍵工藝難題，為合作伙伴提供中立、開放的創新工藝研發平臺，加速技術創新。

（來源：JFS Laboratory）