項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：時(shí)康

廈門大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院教授。

研究方向

界面電化學(xué)，電化學(xué)納米加工， 光電化學(xué)。

成果-高效高質(zhì)加工第三代半導(dǎo)體晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

成果簡介

第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于電子和光電子等領(lǐng)域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是 5G 技術(shù)中的關(guān)鍵器件。將半導(dǎo)體晶片制成器件，其中的一個(gè)關(guān)鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學(xué)性質(zhì)極其惰性，半導(dǎo)體工業(yè)目前常用的化學(xué)機(jī)械拋光方法無法對(duì)其實(shí)現(xiàn)高效加工。

技術(shù)成熟度

從原理上創(chuàng)新發(fā)展了一種光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，不僅可快速加工各種化學(xué)惰性半導(dǎo)體晶片（如：加工氮化鎵的材料去除速率可達(dá) 1.2 μm/h，比目前的化學(xué)機(jī)械拋光的高約 10 倍），而且可加工出原子臺(tái)階結(jié)構(gòu)的平滑表面。設(shè)備簡單，技術(shù)具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

應(yīng)用范圍

第三代半導(dǎo)體晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光。

投產(chǎn)條件與預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益

已具備可產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)。

合作方式

不限定合作方式。

聯(lián)絡(luò)電話

0592-2181139

成果展示

（來源：廈大科創(chuàng)夢(mèng)工場）