東風首批自主碳化硅功率模塊下線。碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規劃綱要中重點關注的科技前沿領域攻關項目，憑借其優良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優勢，在中高端新能源汽車中的應用越來越普及。

智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發，2022年12月正式立項為量產項目。碳化硅模塊項目以智新半導體封裝技術為引領，廣泛與中央企業、高等院校開展合作，從模塊設計、模塊封裝測試、電控應用到整車路試等環節，實現關鍵核心技術的自主掌控。目前，碳化硅模塊開發項目已參與國資委專項課題1項，參與行業標準制定2項。

該碳化硅模塊，采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續航里程提升5%-8%。智新半導體成立4年來，已申請受理專利51項，其中發明專利40項，已授權專利20項，其中發明專利11項，并獲得湖北省“高新技術企業”認證，武漢市專精特新“小巨人”企業認定。

（來源：智新科技）