據國家知識產權局公告，比亞迪（002594）半導體股份有限公司申請一項名為“逆導型IGBT功率器件及其制備的方法和電子設備“，公開號CN117637820A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本發明提出一種逆導型IGBT功率器件及其制備方法，逆導型IGBT功率器件包括至少一個元胞，元胞包括：第一導電類型的電場區，所述電場區的正面形成有正面結構，所述電場區的背面形成有集電極結構，集電極結構包括第一導電類型的第一集電極層、第二導電類型的第二集電極層、集電極插入層、集電極互連部和集電極，所述集電極插入層位于所述電場區中，所述集電極插入層通過所述集電極互連部與所述第二集電極層連接。本發明的逆導型IGBT功率器件，正向導通時，可以減少電壓折回現象，有效抑制負阻效應，提高器件性能。