端到端垂直整合，提升市場競爭力
安森美在SiC領域有著深厚的歷史積淀，是目前為數(shù)不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供應商，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案，并積極加速對SiC襯底和外延進行擴產，包括近期在美國哈德遜、捷克Rozov、韓國富川等工廠的擴建，將使產能提高，致力為客戶提供關鍵的供應保證。同時，安森美也在積極推進從6英寸工藝提升到8英寸工藝。
安森美通過垂直整合從原材料粉末到成品封裝功率器件的供應鏈，來確保高可靠性，這種高度可擴展的端到端生產方式使安森美能夠控制供應鏈的相關環(huán)節(jié)，從而根據(jù)市場需求去彈性地調節(jié)產能，優(yōu)化成本結構。
在收購Fairchild半導體后，安森美的產品線實現(xiàn)了進一步優(yōu)化，覆蓋高、中、低全功率范圍。收購在SiC晶體生長方面有豐富經(jīng)驗的GT Advanced Technologies(以下簡稱“GTAT”)后，安森美強化了在SiC領域的實力。
細數(shù)安森美重磅功率產品
安森美的產品線十分豐富，可以覆蓋大部分新能源應用中的主動器件物料單(Bom)，尤其是大功率的功率器件。
?EliteSiC M3e MOSFET
安森美已經(jīng)推出了三代SiC MOSFET產品，最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關斷損耗降低多達50%，導通損耗降低30%，顯著提升高耗電應用的能效，推進電動汽車動力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能、人工智能數(shù)據(jù)中心等領域的發(fā)展，助力全球電氣化轉型。安森美計劃在2030年前加速推出多款新一代SiC產品。
?采用F5BP封裝的最新一代硅和SiC混合功率集成模塊(PIM)
安森美采用F5BP封裝的最新一代硅和SiC混合功率集成模塊(PIM)，在減少尺寸的同時，將輸出功率提高了15%，助力太陽能發(fā)電和儲能的發(fā)展。F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管，實現(xiàn)高電壓和大電流轉換的同時降低功耗并提高可靠性。
FS7 IGBT 關斷損耗低，可將開關損耗降低達8%，而EliteSiC二極管則提供了卓越的開關性能，與前幾代產品相比，導通壓降（VF）降低了15%。這些PIM包含了一種創(chuàng)新的I型中點箝位（INPC）拓撲結構的逆變器模塊和飛跨電容拓撲結構的升壓模塊。
這些模塊還使用了優(yōu)化的電氣布局和先進的直接銅鍵合（DBC）基板，以降低雜散電感和熱阻。此外，銅基板進一步將結到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保模塊在重載下保持冷卻。
?第7代1200V QDual3 IGBT功率模塊
安森美最新的第7代1200V QDual3 IGBT功率模塊，在相同的外形尺寸和熱閾值下，QDual3模塊能比同類產品提供高出10%的功率，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、商用農業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機驅動器。與傳統(tǒng)的600A模塊解決方案相比，800A的QDual3模塊顯著減少了所需模塊的數(shù)量，極大地簡化了設計復雜度并降低了系統(tǒng)成本。
QDual3 IGBT 模塊采用800 A半橋配置，集成了新的第7代溝槽場截止IGBT和二極管技術，采用安森美的先進封裝技術，從而降低了開關損耗和導通損耗。得益于FS7技術，裸片尺寸縮小了30%，每個模塊可以容納更多的裸片，從而提高了功率密度，最大電流容量達到800 A或更高。
該800 A QDual3 模塊的IGBT Vce(sat) 低至1.75V（175℃），Eoff較低，能量損耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模塊還滿足汽車應用所要求的嚴格標準。
?T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET
安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，可實現(xiàn)大幅節(jié)能，功耗降低達10太瓦。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量 。該組合解決方案還符合超大規(guī)模運營商所需的嚴格的開放式機架V3 (ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。
EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲能系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率。與上一代SIC MOS產品相比，安森美最新一代的SIC MOSFET可以將Qg減半，并且可以將存儲于輸出電容上的能量EOSS與電荷量QOSS減小44%。
與超級結(SJ) MOSFET相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。
T10 PowerTrench系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現(xiàn)的，該設計具有超低柵極電荷和小于1毫歐的導通電阻RDS(on)。此外，軟恢復體二極管和較低的Qrr有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10 PowerTrench 系列還符合汽車應用所需的嚴格標準。
完善的生態(tài)系統(tǒng)
此外，安森美提供完善的生態(tài)系統(tǒng)支持，包括各種封裝的SiC器件和相關柵極驅動器、評估板/套件、參考設計、選型指南、應用手冊、SPICE模型和仿真工具等全面的設計支持，以助設計人員加快和簡化設計。
安森美也和寶馬集團、大眾汽車、現(xiàn)代-起亞、寶馬、極氪、緯湃科技、匯川聯(lián)合動力、上能電氣、古瑞瓦特等多家行業(yè)領先企業(yè)達成戰(zhàn)略合作，通過高效的溝通合作加快創(chuàng)新。
（來源：安森美）
