國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜及其制備方法和應(yīng)用”的專利，公開號(hào) CN 119181634 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及單晶柔性膜制造技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜的制備方法，依次在 n 型碳化硅襯底表面同質(zhì)外延生長(zhǎng) n型碳化硅層、n 型碳化硅層和 p 型碳化硅層，然后采用光電化學(xué)刻蝕的方法對(duì)制備的碳化硅外延片進(jìn)行光電化學(xué)腐蝕，通過控制特定的光電刻蝕參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅薄膜的高效剝離，且不會(huì)產(chǎn)生對(duì)剝離的碳化硅薄膜產(chǎn)生損傷，剝離得到的碳化硅單晶柔性膜可作為柔性基底材料，在其基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)柔性芯片、柔性傳感器等柔性光電子元器件，應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、柔性顯示和柔性檢測(cè)等領(lǐng)域。