國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門市三安集成電路有限公司取得一項名為“氮化鎵半導體器件”的專利，授權(quán)公告號 CN 222515484 U，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請公開氮化鎵半導體器件，包括半導體疊層、柵極電極、源極電極接觸、漏極電極接觸，以及介質(zhì)層和鈍化層。其中，柵極電極、源極電極和漏極電極設(shè)置在半導體疊層上；介質(zhì)層填充設(shè)置于半導體疊層上、且分別與柵極電極、源極電極接觸和漏極電極接觸抵接，介質(zhì)層遠離半導體疊層的一側(cè)低于源極電極和/或漏極電極遠離半導體疊層的一側(cè)；鈍化層包括沿半導體疊層到介質(zhì)層的方向依次層疊設(shè)置的第一鈍化層和第二鈍化層，第一鈍化層填充設(shè)置在介質(zhì)層、源極電極接觸和/或漏極電極接觸所形成的容置槽內(nèi)，第二鈍化層覆蓋設(shè)置在第一鈍化層、源極電極接觸和漏極電極接觸上遠離半導體疊層一側(cè)。上述氮化鎵半導體器件，防水汽侵蝕能力、可靠性和使用壽命較高。

天眼查資料顯示，廈門市三安集成電路有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本150000萬人民幣，實繳資本150000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，廈門市三安集成電路有限公司共對外投資了3家企業(yè)，參與招投標項目83次，專利信息328條，此外企業(yè)還擁有行政許可105個。