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應(yīng)用
芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%，
氮化
鎵業(yè)務(wù)及研究有進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-24 15:45
擁有超1000項(xiàng)專利組合，全球再添一家
氮化
鎵企業(yè)上市
評(píng)論 ?
2022-02-23 11:14
“東數(shù)西算”工程全面啟動(dòng)，數(shù)據(jù)中心建設(shè)驅(qū)動(dòng)
氮化
鎵需求爆發(fā)
東數(shù)西算
數(shù)據(jù)中心
氮化鎵
第三代半導(dǎo)體
評(píng)論 ?
2022-02-23 07:42
國(guó)星光電：
氮化
鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，十億擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能正逐步釋放
國(guó)星光電
氮化鎵
碳化硅
器件
產(chǎn)業(yè)化
擴(kuò)產(chǎn)
產(chǎn)能正
評(píng)論 ?
2022-02-23 07:33
中鎵半導(dǎo)體：低位錯(cuò)密度
氮化
鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售
中鎵半導(dǎo)體
低位錯(cuò)密度
2英寸
氮化鎵
自支撐
襯底
評(píng)論 ?
2022-02-23 07:27
北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示
氮化
物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運(yùn)機(jī)制
評(píng)論 ?
2022-02-22 11:41
中瓷電子切入
氮化
鎵賽道打開第二成長(zhǎng)曲線
評(píng)論 ?
2022-02-21 08:54
氮化
鎵領(lǐng)先企業(yè)“英諾賽科”完成近30億元D輪融資
評(píng)論 ?
2022-02-18 08:42
河南十四五將加快發(fā)展碳化硅、
氮化
鎵、砷化鎵等第三代半導(dǎo)體材料
評(píng)論 ?
2022-02-17 13:48
河南：積極布局發(fā)展以碳化硅、
氮化
鎵為重點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體材料
評(píng)論 ?
2022-02-17 10:08
中國(guó)人大陳珊珊教授團(tuán)隊(duì)在寬帶隙超薄二維
氮化
鎵的可控制備方面獲新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-16 15:59
羅姆：新一代半導(dǎo)體的
氮化
鎵將在2022年春季之前量產(chǎn)
評(píng)論 ?
2022-02-16 15:25
日本羅姆量產(chǎn)5G基站用新一代
氮化
鎵功率半導(dǎo)體
日本
羅姆
量產(chǎn)
5G基站
新一代
氮化鎵
功率半導(dǎo)體
評(píng)論 ?
2022-02-11 08:33
中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的
氮化
鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-10 09:13
賽微電子：GaN（
氮化
鎵）制造產(chǎn)線正在建設(shè)中
評(píng)論 ?
2022-01-24 09:25
中瓷電子擬收購(gòu)中電科十三所
氮化
鎵基站射頻芯片業(yè)務(wù)、博威集成和國(guó)聯(lián)萬眾部分股權(quán)或全部股權(quán)
評(píng)論 ?
2022-01-18 08:11
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的
氮化
鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
評(píng)論 ?
2022-01-17 16:52
碳化硅、
氮化
鎵企業(yè)大盤點(diǎn) 哪些標(biāo)的值得關(guān)注？
評(píng)論 ?
2022-01-05 15:16
DB HiTek 將采用硅基
氮化
鎵技術(shù)改進(jìn) 8 英寸半導(dǎo)體工藝
DB
HiTek
硅基
氮化鎵
8英寸
半導(dǎo)體工藝
評(píng)論 ?
2022-01-05 15:13
第三代半導(dǎo)體-
氮化
鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
GaN
產(chǎn)業(yè)鏈
基本形成
評(píng)論 ?
2021-12-29 15:57
聚燦光電與中科院半導(dǎo)體所開發(fā)高性能高光功率
氮化
物
評(píng)論 ?
2021-12-24 18:41
深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊：
氮化
鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法
氮化
鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:38
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強(qiáng)：無氨高溫 MOCVD 生長(zhǎng)的高質(zhì)量極性和半極性
氮化
鋁
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻：玻璃襯底
氮化
物異構(gòu)外延
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:25
中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣
氮化
鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:20
最新關(guān)注
氮化
物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:09
基于
氮化
鎵業(yè)務(wù)發(fā)展的考慮 賽微電子(300456.SZ)擬轉(zhuǎn)讓聚能國(guó)際24.5%股權(quán)
氮化鎵
業(yè)務(wù)發(fā)展
賽微電子
聚能國(guó)際
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:52
晶方科技擬加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體
氮化
鎵器件公司VisIC的投資
晶方科技
以色列
第三代半導(dǎo)體
VisIC
投資
評(píng)論 ?
2021-12-20 15:23
西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的
氮化
鎵射頻器件研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-14 14:44
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