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臺達電子董慨：碳化硅
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臺達電子董慨：碳化硅
碳化硅及氮化鎵功率器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺達電子高階客制電源事業部中國區總監Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
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guansheng2023-05-19 09:03
正通遠恒總經理劉兵武
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正通遠恒總經理劉兵武
定量陰極發光CL技術在氮化物半導體中的應用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠恒科技有限公司總經理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd
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guansheng2023-05-19 08:55
武漢大學工業科學研究
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武漢大學工業科學研究
無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態熱反射技術Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學工業科學研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-19 08:53
南京大學教授修向前：
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南京大學教授修向前：
基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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guansheng2023-05-18 16:18
廈門大學張榮教授：Ⅲ
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廈門大學張榮教授：Ⅲ
Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授
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limit2022-01-31 13:44
【視頻報告 2018】西
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【視頻報告 2018】西
西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】敖
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【視頻報告 2018】敖
日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】蘇
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【視頻報告 2018】蘇
蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優良的性能而在基礎工業領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景。基礎工業應用要求的超長連續工作壽命及可能的外部惡劣工作環境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統工程，從產品設計，工藝開發，器件生產，到最終篩選測試，每一個環節都按嚴格的程序進行，確
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】臺
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【視頻報告 2018】臺
【極智報告】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。
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limit2021-04-29 12:04
【視頻報告 2019】河
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【視頻報告 2019】河
河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種
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limit2021-04-29 10:46
【視頻報告】英諾賽科
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【視頻報告】英諾賽科
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2021-04-26 15:05
【視頻報告】北京大學
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【視頻報告】北京大學
北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。
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limit2020-02-02 16:27
【視頻】西安交通大學
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【視頻】西安交通大學
西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。
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limit2020-02-01 16:25
英諾賽科科技有限公司
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英諾賽科科技有限公司
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2019-12-31 12:38
英諾賽科研發中心副總
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英諾賽科研發中心副總
英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告
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limit2019-12-30 13:03

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